高压整流硅堆制造技术

本发明专利技术公开了高压整流硅堆，包括若干个串联的整流二极管层、PCB板以及散热器，其特征在于：每个整流二极管层包括两组并联的整流二极管组；所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管组成；所述整流二极管层布设于PCB板上，且在PCB板上设置若干散热器通孔，散热器通孔内安装散热器。本发明专利技术通过设置具有若干椭圆形通孔结构以及矩形主通孔结构组成的绝缘散热通孔来提高管间的绝缘散热距离，防止局部管击穿问题的产生，提高硅堆的整流性能以及使用寿命；在整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板提高散热效率降低热阻。

High voltage rectifier silicon stack

The invention discloses a high voltage silicon rectifier stack, comprising a plurality of series rectifier diode layer, PCB plate and the radiator, which is characterized in that the rectifier diode rectifier diode group each layer includes two sets of parallel rectifier diodes; the group is composed of a plurality of series rectifier diode; the rectifier diode layer is arranged at the PCB board, and is provided with a plurality of through holes in the PCB plate radiator, radiator radiator through the mounting hole. By setting the insulation radiating through holes several ellipse hole structure and rectangular hole structure is main to improve the thermal insulation distance between tubes, prevent local tube breakdown problems, improve the service life and performance of silicon rectifier; between the rectifier diode and the PCB plate are provided with ceramic insulation board to improve heat dissipation reduce the efficiency of thermal resistance.

【技术实现步骤摘要】
高压整流硅堆
本专利技术涉及一种半导体元器件，具体的涉及一种适用于高频整流使用的高压整流硅堆。
技术介绍
电除尘的工作原理是利用高压电场使得烟气发生电离，气流中的粉尘电荷在电场作用下与气流分离，电除尘设备主要包括变压器、整流桥以及集尘器，而变压器输出的电压质量对除尘效率有很大的影响，因此如何保证变压器输出的电压的稳定可靠性成为变压器技术研究的重点。现有的电除尘用高频高压电源多由整流电路、高频逆变电路、高频变压器、高压高频娃堆等单元组成，而高压高频娃堆高压高频交流电转换成高压直流电供电稳定性直接影响电除尘电场除尘效果。
技术实现思路
鉴于已有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是要提供一种新型结构的高压整流硅堆，为实现上述目的，本专利技术的技术方案:高压整流硅堆，包括若干个串联的整流二极管层、PCB板以及散热器，其特征在于:每个整流二极管层包括两组并联的整流二极管组；所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管组成；所述整流二极管层布设于PCB板上，且在PCB板上设置若干散热器通孔，散热器通孔内安装散热器。所述两组并联的整流二极管组之间的PCB板上设置绝缘散热通孔，所述绝缘散热通孔为具有倒圆角结构的矩形主结构，在所述矩形主结构设置若干均布的椭圆形通孔结构。所述的椭圆形通孔结构的排布方式为:每个整流二极管的两侧各设置有椭圆形通孔结构，保证每两个椭圆形通孔结构的中心轴线之间放置一个整流二极管。所述的整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板，使用导电硅胶灌封空隙。与现有技术相比，本专利技术的有益效果:本专利技术通过设置具有若干椭圆形通孔结构以及矩形主通孔结构组成的绝缘散热通孔来提高管间的绝缘散热距离，防止局部管击穿问题的产生，提高硅堆的整流性能以及使用寿命；在整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板提高散热效率降低热阻。【附图说明】图1为本专利技术整流二极管层结构示意图；图2为本专利技术整流二极管层结构示意图。图中:1、PCB板，2、整流二极管层，3、散热器，4、整流二极管，5、绝缘散热通孔，5a、矩形主结构，5b、椭圆形通孔结构,6、陶瓷隔热板,7、导电硅胶。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本专利技术进行进一步详细说明。如图1所示的高压整流硅堆，包括若干个串联的整流二极管层2、PCB板I以及散热器3，其特征在于:每个整流二极管层2包括两组并联的整流二极管组；所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管4组成；所述整流二极管层2布设于PCB板I上，且在PCB板I上设置若干散热器通孔，散热器通孔内安装散热器3。 所述两组并联的整流二极管组之间的PCB板I上设置绝缘散热通孔5，鉴于PCB板I板面有限，为了进一步提高管间的绝缘距离，需要设置绝缘通孔5实现，所述绝缘散热通孔5为具有倒圆角结构的矩形主结构5a，在所述矩形主结构5a设置若干均布的椭圆形通孔结构5b。所述的椭圆形通孔结构5b的排布方式为:每个整流二极管4的两侧各设置有椭圆形通孔结构5b，保证每两个椭圆形通孔结构5b的中心轴线之间放置一个整流二极管4，有效降低二极管间的尖峰电压，降低击穿率。如图2所示，所述的整流二极管4与PCB板I之间均设置有陶瓷隔热板6，使用导电硅胶?灌封空隙。以上所述，仅为本专利技术较佳的【具体实施方式】，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
高压整流硅堆，包括若干个串联的整流二极管层（2）、PCB板（1）以及散热器（3），其特征在于：每个整流二极管层（2）包括两组并联的整流二极管组；所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管（4）组成；所述整流二极管层（2）布设于PCB板（1）上，且在PCB板（1）上设置若干散热器通孔，散热器通孔内安装散热器（3）。

【技术特征摘要】
1.高压整流硅堆，包括若干个串联的整流二极管层(2)、PCB板(I)以及散热器(3)，其特征在于:每个整流二极管层(2)包括两组并联的整流二极管组；所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管(4)组成；所述整流二极管层(2)布设于PCB板(I)上，且在PCB板(I)上设置若干散热器通孔，散热器通孔内安装散热器(3 )。2.根据权利要求1所述的高压整流硅堆，其特征在于:所述两组并联的整流二极管组之间的PCB板(I)上设置绝缘散热通孔(5 )，所述绝缘散热通孔(5 )...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭知初，王霆，郭智新，姜锋，
申请(专利权)人：大连德维电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：