用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，其特征在于，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光靶标和曝光光罩，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩偏置在所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留处于被遮掩的区域内。本实用新型专利技术能够结合正性光阻显影技术、金属刻蚀技术和光阻剥膜技术将不良品修复为良品。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，其特征在于，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光靶标和曝光光罩，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩偏置在所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留处于被遮掩的区域内。本技术能够结合正性光阻显影技术、金属刻蚀技术和光阻剥膜技术将不良品修复为良品。【专利说明】用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构
本技术涉及一种触摸屏短路的解决方案，特别是涉及一种去除电容触摸屏金属架桥周边确定位置短路金属残留的曝光结构。
技术介绍
在采用搭桥结构的电容式触摸屏生产过程中，有时会出现电容两极短路的质量不良问题。究其原因，通常是由于触摸屏金属架桥周边确定位置存在金属残留，并且该金属残留将触摸屏电容的X向极板和Y向极板导通。目前，对于这种质量不良，制造厂家还没有解决办法。直接导致触摸屏报废，给企业造成损失。大尺寸触摸屏尤其明显。
技术实现思路
本技术为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种去除电容触摸屏金属架桥周边确定位置短路金属残留的曝光结构。本技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光靶标和曝光光罩，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩偏置在所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留处于被遮掩的区域内。本技术具有的优点和积极效果是:通过将金属架桥周边存在金属残留不良的电容触摸屏返回其绝缘光阻涂布黄光制程，并采用在金属架桥及其周边金属残留上涂布一层正性光阻，在曝光环节通过向金属残留位置偏移光罩，使金属架桥上的正性光阻曝光后显影保留，去掉金属残留上的正性光阻，进而通过刻蚀去掉使触摸屏电容两极导通的金属残留，使触摸屏电容两极达到彼此绝缘的设计要求，剥膜去掉剩下的正性光阻，将不良品修复为良品。无需报废，能够大大减少因不良品而产生的损失。尤其是大尺寸触摸屏，经济效益尤其明显。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的结构示意图；图2为电容触摸屏金属架桥周边存在金属残留的结构示意图；图3为应用本技术时，电容触摸屏所处位置的示意图；图4为修复后良品金属架桥的示意图。图中:1、Y向电容电极，2、Χ向电容电极,3、绝缘光阻,4、金属架桥,5、金属残留,6、被遮掩的区域，7、曝光祀标,8、曝光光罩。【具体实施方式】为能进一步了解本技术的
技术实现思路
、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下:请参见图1?图4，一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光靶标7和曝光光罩8，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标7固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩8偏置在所述电容触摸屏的金属架桥4的金属残留5侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥4处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥4的金属残留5处于被遮掩的区域内。应用本技术去除电容触摸屏金属架桥周边短路金属残留的方法:一)采用检测设备确定存在短路不良的电容触摸屏金属架桥周边金属残留的位置:请参阅图2，采用搭桥结构的电容触摸屏上形成有ITO图案，其中有连续的X向电容电极2和间断的Y向电容电极I，在X向电容电极2和Y向电容电极I之间涂布有绝缘光阻PI3，在绝缘光阻PI3上有金属架桥4，金属架桥4连接相邻的两个Y向电容电极段，使它们导通，完成金属架桥4的制程后，检测发现存在X向电容电极2和Y向电容电极I短路不良，进一步的检测结果为:在金属架桥4的右侧存在金属残留5，使Y向电容电极I和X向电容电极2短路。采用放大镜检查或用自动光学检查仪A.0.1自动扫描确定金属残留5的位置。二)将电容触摸屏返回其绝缘光阻H的黄光制程，其中H—PASSIVAT10NINSULAT10N，并按照如下步骤操作:I)首先在金属架桥4及其周边金属残留5的表面上涂布正性光阻，通常是整个表面都有涂布。2)然后将该电容式触摸屏用其绝缘光阻PI3黄光制程的靶标固定在曝光机台面上；3)在曝光环节根据金属残留5的延伸方向，且沿与金属架桥4垂直的方向偏移用于该电容式触摸屏绝缘光阻3曝光的光罩，使金属架桥4处于被曝光机光源照射的区域内且金属残留5处于被遮掩的区域6内曝光，请参见图3 ；4)显影去掉位于金属残留4上的正性光阻，在产品表面形成凹孔，金属残留4裸露在凹孔内；三)刻蚀去掉金属残留4，Y向电容电极I和X向电容电极2断开，处于相互绝缘状态；四)剥膜去掉剩下的正性光阻，剥膜完毕即可得到金属架桥4合格的良品，请参见图4。上述金属架桥4的材质为钥铝钥(Mtj / Al / M0)金属薄膜。尽管上面结合附图对本技术的优选实施例进行了描述，但是本技术并不局限于上述的【具体实施方式】，上述的【具体实施方式】仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本技术的启示下，在不脱离本技术宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以做出很多形式，这些均属于本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，其特征在于，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光祀标和曝光光罩，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩偏置在所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留处于被遮掩的区域内。【文档编号】G03F7/20GK203397080SQ201320496993【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年8月14日 优先权日:2013年8月14日 【专利技术者】许沭华, 迟晓晖, 王超 申请人:芜湖长信科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于去除电容触摸屏金属架桥周边金属残留的曝光结构，其特征在于，包括设置在该电容触摸屏绝缘光阻黄光制程中的曝光机、曝光靶标和曝光光罩，所述电容式触摸屏用所述曝光靶标固定在所述曝光机的台面上，所述曝光光罩偏置在所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留侧，当所述电容触摸屏处于曝光位置时，所述电容触摸屏的金属架桥处于被所述曝光机的光源照射的区域内且所述电容触摸屏的金属架桥的金属残留处于被遮掩的区域内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许沭华，迟晓晖，王超，
申请(专利权)人：芜湖长信科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：