LTCC延迟线组件制造技术

本发明专利技术公开的LTCC延迟线组件包括从上到下排列的五层介质层，每层介质层之间由金属层隔开，第一介质层包括从上到下排列的微带层、第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层，第二、三、四层介质层中埋置有带状线，其中，第二介质层包括从上到下排列的第一带状线介质上层、第一带状线层、第一带状线介质下层；第三介质层包括从上到下排列的第二带状线介质上层、第二带状线层、第二带状线介质下层；第四介质层包括从上到下排列的第三带状线介质上层、第三带状线层、第三带状线介质下层；第五介质层包括从上到下排列的第四带状线介质上层、第四带状线层、第四带状线介质下层。该LTCC延迟线组件尺寸较小，输入输出均为微带结构，易于与其他元件集成。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开的LTCC延迟线组件包括从上到下排列的五层介质层，每层介质层之间由金属层隔开，第一介质层包括从上到下排列的微带层、第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层，第二、三、四层介质层中埋置有带状线，其中，第二介质层包括从上到下排列的第一带状线介质上层、第一带状线层、第一带状线介质下层；第三介质层包括从上到下排列的第二带状线介质上层、第二带状线层、第二带状线介质下层；第四介质层包括从上到下排列的第三带状线介质上层、第三带状线层、第三带状线介质下层；第五介质层包括从上到下排列的第四带状线介质上层、第四带状线层、第四带状线介质下层。该LTCC延迟线组件尺寸较小，输入输出均为微带结构，易于与其他元件集成。【专利说明】LTCC延迟线组件
本专利技术属于微波控制电路
，具体涉及一种基于低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic, LTCC)技术的延迟线组件。
技术介绍
延迟线是一种能将电信号延迟一段时间的元件或器件。在各类电子仪器和通信系统设计中，为了配合某些功能需要，常常需要使用延迟线，达到信号把信号延迟一段特定时间的目的。近年来，随着电子工业的迅速发展，此类元器件应用于精确制导、卫星通信以及现代雷达系统等领域。目前，常用的延迟线有同轴电缆延迟线、声体波、声表面波延迟线以及光纤延迟线等结构。最早进入应用领域的是同轴电缆延迟线，但它存在体积大、重量重等缺点；声体波、声表面波延迟线能在较小的体积内实现较大的延迟量，但它们主要应用在低频段，在高频率时损耗太大；光纤延迟线具有带宽宽、损耗低、抗干扰、保密性好等特点，但光纤延迟线的结构相当复杂不易集成，成本比较高。
技术实现思路
本专利技术针对现有延迟线组件体积大、重量重、结构复杂和适用频段低等问题，提出一种基于LTCC技术的延迟线组件。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案:一种LTCC延迟线组件，其特征在于:包括从上到下依次排列的五层介质层，每层介质层之间由金属层隔开，第一介质层包括从上到下依次排列的微带层、第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层，第二、三、四层介质层中都埋置有带状线，其中，第二介质层包括从上到下依次排列的第一带状线介质上层、第一带状线层、第一带状线介质下层；第三介质层包括从上到下依次排列的第二带状线介质上层、第二带状线层、第二带状线介质下层；第四介质层包括从上到下依次排列的第三带状线介质上层、第三带状线层、第三带状线介质下层；第五介质层包括从上到下依次排列的第四带状线介质上层、第四带状线层、第四带状线介质下层。进一步地，所述微带层包括信号输入匹配电路、信号输出匹配电路、信号直通传输线、6个延迟信号输入端、6个延迟信号输出端、开关芯片直流控制电路。所述第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层、第一带状线介质上层、第一带状线介质下层、第二带状线介质上层、第二带状线介质下层、第三带状线介质上层、第三带状线介质下层、第四带状线介质上层、第四带状线介质下层及各金属层上均设有位置、形状、尺寸相互对应的信号通孔，所述延迟信号输入端与带状线之间、不同介质层中的带状线之间和带状线与延迟信号输出端之间均通过所述信号通孔相连。进一步地，所述空腔金属地层上设有12个单刀双掷开关，所述单刀双掷开关通过其单端口两两级连。进一步地，所述LTCC延迟线组件由六路延迟线单元级联而成，可以对信号进行1、2、4、6、8、16、32倍波长的延迟。本专利技术的LTCC延迟组件采用了多层布线方案，发挥了 LTCC技术的优势，在同等延迟时间的情况下，与传统延迟线相比，首先，电路尺寸显著减小、延迟型组件重量减小；其次，其输入输出为微带结构，易于与其他元件相互集成；最后各介质层间采用信号通孔互连减少了寄生参量，结构简单且带宽较宽。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的LTCC延迟组件的层次结构示意图；图2为本专利技术的LTCC延迟组件装配结构俯视图；图3 Ca)为本专利技术的LTCC延迟线组件的微带层的平面结构示意图；图3 (b)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第一微带介质层的平面结构示意图；图3 (c)为本专利技术的LTCC延迟线组件的空腔金属地层的平面结构示意图；图3 Cd)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第二微带介质层的平面结构示意图；图4为本专利技术的LTCC延迟线组件的第一金属层的平面结构示意图；图5 (a)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第一带状线介质上层的平面结构示意图；图5 (b)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第一带状线层的平面结构示意图；图5 (C)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第一带状线介质下层的平面结构示意图；图6为本专利技术的LTCC延迟线组件的第二金属层的平面结构示意图；图7 (a)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第二带状线介质上层的平面结构示意图；图7 (b)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第二带状线层的平面结构示意图；图7 (C)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第二带状线介质下层的平面结构示意图；图8为本专利技术的LTCC延迟线组件的第三金属层的平面结构示意图；图9 (a)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第三带状线介质上层的平面结构示意图；图9 (b)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第三带状线层的平面结构示意图；图9 (C)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第三带状线介质下层的平面结构示意图；图10为本专利技术的LTCC延迟线组件的第四金属层的平面结构示意图；图11 (a)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第四带状线介质上层的平面结构示意图；图11 (b)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第四带状线层的平面结构示意图；图11 (C)为本专利技术的LTCC延迟线组件的第四带状线介质下层的平面结构示意图；图12为本专利技术的LTCC延迟线组件的第五金属层的平面结构示意图；图13为本专利技术的LTCC延迟线组件的开关布局。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。我们知道，LTCC技术是MCM中的一类多层布线基板技术。由于采用在LTCC多层布线基板上的裸芯片直接组装，从而大大提高了组装密度，改善了频率特性和传输速度，LTCC技术允许芯片之间靠的更近，互连线变短，既缩小了封装尺寸，同时也解决了串扰噪声，杂散电感、杂散电容耦合以及电磁场辐射等问题，尽可能的保持元器件本来的电性能的同时，还能把无源器件埋置在LTCC多层互连布线基板中并通过通孔互连，一方面由于表面无源器件的减少，使得有源器件有更多的安装空间；另一方面由于采用通孔互连减少了寄生参量，有利于增加系统的带宽和性能。本专利技术的LTCC延迟线组件即是基于上述LTCC技术。如图1所示，本实施例中的LTCC延迟线组件包括从上到下依次排列的第一介质层1、第二介质层2、第三介质层3、第四介质层4和第五介质层5,介质层1、2、3、4、5之间由金属层6、7、8、9、10隔开。第一介质层I包括从上到下依次排列的微带层11、第一微带介质层12、空腔金属地层13和第二微带介质层14，各层的结构如图2 (a)至2 (d)所示；第二、三、四、五层介质层2、3、4、5中都埋置有带状线，第二介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTCC延迟线组件，其特征在于：包括从上到下依次排列的五层介质层，每层介质层之间由金属层隔开，第一介质层包括从上到下依次排列的微带层、第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层，第二、三、四层介质层中都埋置有带状线，其中，第二介质层包括从上到下依次排列的第一带状线介质上层、第一带状线层、第一带状线介质下层；第三介质层包括从上到下依次排列的第二带状线介质上层、第二带状线层、第二带状线介质下层；第四介质层包括从上到下依次排列的第三带状线介质上层、第三带状线层、第三带状线介质下层；第五介质层包括从上到下依次排列的第四带状线介质上层、第四带状线层、第四带状线介质下层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡江，李骦，寇慧云，姚瑶，唐辉，徐瑞敏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：