一种低漏电高速锁相环电荷泵电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。【专利说明】—种低漏电高速锁相环电荷泵电路
本专利技术涉及一种电荷泵电路，尤其涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路。
技术介绍
锁相环指的是一种电路，由压控振荡器、除法器、频率相位比较器、电荷泵和环路滤波器等构成；通过形成一个相位的负反馈回路，来实现频率和相位锁定，可广泛运用到频率综合，倍频等应用中。一般锁相环的结构如图1所示，所述锁相环用的电荷泵有两个输入电流UP、DN0当UP和DN均为0时，SI和S2均关闭，UP和输入信号DN均为O。当UP为高，DN为0时，SI导通，输入信号UP不再为0，对VCON的电容充电，使得输出VCON电压上升；当即为0，DN为高时，S2导通，输入信号DN不再为0，对VCON的电容放电，使得VCON电压下降；当UP、DN均为高时，SI，S2导通，输入信号UP等于输入信号DN，干净电流为0，输出VCON没有变化。其具体的实现可分为开关在上和开关在下两种做法，如图2和图3所示。图2为开关在上电荷泵结构，其中Mncsr，Mpcsr管为电流源，Mswn, Mswp为开关管,实现S2和SI ;图3为开关在下电荷泵结构，其中Mncsr，Mpcsr管为电流源，Mswn, Mswp为开关管,实现S2和SI。对开关在下的电荷泵，一种改进方式如图4所不,用一个倒相器代替原来单个MOS管，这样在开关要被关断时，A点被拉到VAA，使得Mncsr管的源级为VAA，栅极和源级之间的电压差为负值，这样的Mncsr的漏电流就是pA级，原来的开关在上的电荷泵(图2)和开关在下的电荷泵(图3)栅极和源级之间的电压差均为0，漏电流将是nA级。但是，图4所示的电荷泵的一个缺点是,开关的速度比较慢,需要把A点的电荷全部冲放掉，而且对G点的干扰和噪声比较大，在输出电压比较低的时候，有逆向漏电的危险，从 VAA 到 Minvp 到 A 到 Mnscr 到 VCON0
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种没有你想导通危险的低漏电高速锁相环电荷泵电路。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、电流源Mpcsr、Mncsr和开关管MswruMswp构成,所述第一 MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管的源极，第二 MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，所述第四MOS管栅极连接DNB电流，漏极连接电流源Mncsr的源极，所述电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极，漏极接地；所述第五MOS管的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，所述电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管Mswn的源极，所述开关管Ms^i栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。与现有技术相比，本专利技术的有益之处是:这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。【专利附图】【附图说明】: 下面结合附图对本专利技术进一步说明。图1是锁相环结构示意图； 图2是开关在上电荷栗电路结构意图； 图3是开关在下电荷栗电路结构不意图； 图4是改进后的开关在下电荷泵结构示意图； 图5是本专利技术一种低漏电高速锁相环电荷泵电路结构示意图。图中:1、第一MOS管；2、第二MOS管；3、第三MOS管；4、第四MOS管；5、第五MOS管；6、第六MOS管。【具体实施方式】: 下面结合附图及【具体实施方式】对本专利技术进行详细描述: 图5所不一种低漏电高速锁相环电`荷泵电路，由第一 MOS管1、第二 MOS管2、第三MOS管3、第四MOS管4、第五MOS管5、第六MOS管6、电流源Mpcsr、Mncsr和开关管MswruMswp构成，所述第一 MOS管I的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管2的源极，第二 MOS管2的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管3的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管4的源极，所述第四MOS管4栅极连接DNB电流，漏极连接电流源Mncsr的源极，所述电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管5的栅极，漏极接地；所述第五MOS管5的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管6的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，所述电流源Mpcsr的源极连接电压VAA,漏极连接开关管Mswp的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管Mswn的源极，所述开关管(Mswm)栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。具体的，该低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，当需要关闭的时候，将DN设为0，UPB和DNB电压为VAA’ UP为0，开关管MSWN关闭，第四MOS管4将A点上拉到第三MOS管3的源漏极电压差，确保开关管Mswn的源漏极电压差为负值，同理可以运用到开关管Mswp上，确保漏极电流为PA级。需要强调的是:以上仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。【权利要求】1.一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一 MOS管(I)、第二 MOS管(2)、第三MOS管(3)、第四MOS管(4)、第五MOS管(5)、第六MOS管(6)、电流源(Mpcsr、Mncsr)和开关管(Mswn、Mswp)构成,其特征在于:所述第一 MOS管(I)的源极连接电流源(Mpcsr)的漏极,栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管(2)的源极，第二 MOS管(2)的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管(3)的源极连接电压(VAA)，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管(4)的源极，所述第四MOS管(4)栅极连接DNB电流，漏极连接电流源(Mncsr)的源极，所述电流源(Mncsr)的栅极连接第五MOS管(5)的栅极，漏极接地；所述第五MOS管(5)的源极连接其栅极，漏极接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一MOS管（1）、第二MOS管（2）、第三MOS管（3）、第四MOS管（4）、第五MOS管（5）、第六MOS管（6）、电流源（Mpcsr、Mncsr）和开关管（Mswn、Mswp）构成，其特征在于：所述第一MOS管（1）的源极连接电流源（Mpcsr）的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管（2）的源极，第二MOS管（2）的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管（3）的源极连接电压（VAA），栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管（4）的源极，所述第四MOS管（4）栅极连接DNB电流，漏极连接电流源（Mncsr）的源极，所述电流源（Mncsr）的栅极连接第五MOS管（5）的栅极，漏极接地；所述第五MOS管（5）的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管（6）的源极连接电压（VAA），栅极和漏极均连接电流源（Mpcsr）的栅极，所述电流源（Mpcsr）的源极连接电压（VAA），漏极连接开关管（Mswp）的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管（Mswn）的源极，所述开关管（Mswm）栅极连接输入信号DN，漏极与电流源（Mncsr）的源极连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：