导电片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种导电片结构，其包括基板；正电极片，所述正电极片包括若干间隔排列的正极片及一正连接片，所述正极片与正连接片一体成型；负电极片，所述负电极片包括若干间隔排列的负极片及一负连接片，负极片与负连接片一体成型，负极片与正极片之间形成有第一缝隙，负极片的顶端与正连接片之间形成有第二缝隙，正极片的顶端与负连接片之间形成有第三缝隙；介质，所述正电极片粘贴于介质上，所述负电极片粘贴于介质上，介质粘贴于基板上，所述介质设有与第一缝隙相对应的第四缝隙，所述第二缝隙处有介质外露，所述第三缝隙处有介质外露。本实用新型专利技术有益效果是：使得连接片在使用上不存在有接触角度上的限制，可任意调整各种使用接触角度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电片结构，其特征在于：其包括：基板(1)；正电极片(2)，所述正电极片(2)包括若干间隔排列的正极片(21)及一正连接片(22)，所述正极片(21)与正连接片(22)一体成型；负电极片(3)，所述负电极片(3)包括若干间隔排列的负极片(31)及一负连接片(32)，所述负极片(31)与负连接片(32)一体成型，所述负极片(31)与正极片(21)之间形成有第一缝隙(5)，所述负极片(31)的顶端与正连接片(22)之间形成有第二缝隙(6)，所述正极片(21)的顶端与负连接片(32)之间形成有第三缝隙(7)；介质(4)，所述正电极片(2)粘贴于介质(4)上，所述负电极片(3)粘贴于介质(4)上，所述介质(4)粘贴于基板(1)上，所述介质(4)设有与第一缝隙(5)相对应的第四缝隙(8)，所述第二缝隙(6)处有介质(4)外露，所述第三缝隙(7)处有介质(4)外露。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇晴，
申请(专利权)人：深圳市裕盛昌科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：