一种多个OTP EPROM同时读写的保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种多个OTP?EPROM同时读写的保护电路，电路包括：OTPEPROM细胞单元、电平转换场以及记忆体板上MCU芯片组成。主板通过SPIMOSI、SPI?MISO、SPI?SCLK和SPI?CS引脚与记忆体板上MCU通讯，按通讯协议进行数据交换，进行校验，当校验通过后，通过SPIMOSI传送出命令数据，选择目标OTP?EPROM进行读写操作，通过MCU中的通讯协议，检验电路中的通讯状况，保证通讯电路工作的可靠性，在正常的工作环境下，通过不同的片选命令选择不同的目标OTP?EPROM进行读写操作。对一些要求严格的系统，增加通讯检验能达到更加可靠的工作性能。该保护电路随时可更换容量不一的存储记忆体，真正的做到兼容性强，随时可更换，同时加强数据的安全性，可靠性，并且且可以通过不同的通讯协议来识别不同的记忆体，用于不同的场合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多个OTP?EPROM同时读写的保护电路，电路包括：OTP?EPROM细胞单元、电平转换场、以及记忆体板上MCU芯片组成；其特征在于主板通过SPI_MOSI、SPI_MISO、SPI_SCLK和SPI_CS引脚与记忆体板上MCU通讯，按通讯协议进行数据交换，进行校验，当校验通过后，通过SPI_MOSI传送出命令数据，选择目标OTP?EPROM进行读写操作；通过MCU中的通讯协议，检验电路中的通讯状况，保证通讯电路工作的可靠性，在正常的工总环境下，通过不同的片选命令选择不同的的目标OTP?EPROM进行读写操作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林锦毅，
申请(专利权)人：厦门菲斯科电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：