一种延时断电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种断电延时电路，其特征在于：包括主电源输入端、负载电源输出端、第一开关模块、第二开关模块、掉电检测模块、备用电源和微处理器。本实用新型专利技术通过微处理器实现延时断电控制，工作上更加稳定可靠。

A delay power-off circuit

【技术实现步骤摘要】
一种延时断电电路
本技术涉及电源领域，特别是指一种延时断电电路。
技术介绍
在人类生活中存在着许多需要延时断电的场合；比如电脑关机过程，电脑在使用时，其关机需要一段时间。为了保护电脑的硬件和软件不被损坏，操作者需要等待电脑关机后，才能安全地关闭电脑电源插座上的电源开关。比如照明延时关灯，仓库等场所在人员离开时关闭照明灯，但需要灯具在人按下关闭开关后为人员离开留出适当的时间，等人员离开后才熄灭灯光。现有技术中，为了实现延时断电，通常采用机械式延时或断电延时时间继电器等，机械式延时开关使用寿命短，易损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种工作稳定可靠的延时断电电路。为了达成上述目的，本技术的解决方案是：一种断电延时电路，其包括主电源输入端、负载电源输出端、第一开关模块、第二开关模块、掉电检测模块、备用电源和微处理器；所述第一开关模块包括电阻R1、电阻R2、MOS管Q1和自锁开关SW1；所述电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接主电源输入端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端通过自锁开关SW1接地；所述第二开关模块包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、三极管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4；所述二极管D1的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D1的负极连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和电阻R3的一端，MOS管Q3的漏极连接负载电源输出端，MOS管Q3的栅极连接电阻R3的另一端和三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6另一端连接二极管D2的负极和二极管D3的负极，电阻R7的另一端接地，二极管D2的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D3的正极连接微处理器的一个输出端，微处理器的一个输出端通过掉电检测模块连接MOS管Q1的漏极，微处理器由备用电源进行供电；MOS管Q4的漏极连接备用电源的输出端，MOS管Q4的栅极连接电阻R4的一端和电阻R5的一端，电阻R4的另一端连接二极管D4的负极，二极管D4的正极连接MOS管Q1的漏极，电阻R5的另一端接地；所述微处理器通过掉电检测模块检测MOS管Q1的漏极电压，当MOS管Q1的漏极电压低于设定阈值，微处理器在设定时间内输出高电平给二极管D3的正极。所述第二开关模块还包括极性电容C1和非极性电容C2；极性电容C1的正极和非极性电容C2的一端连接负载电源输入端，极性电容C1的负极和非极性电容C2的另一端接地。所述掉电检测模块包括电阻R8、电阻R9和二极管D5，二极管D5的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D5的负极连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地；电阻R8和电阻R9的公共端连接微处理器的一个输入端。所述设定阈值为3.4伏特，所述设定时间为2~5毫秒。所述备用电源为蓄电池。采用上述方案后，本技术在自锁开关SW1闭合且主电源输入端有外部电源输入时，负载电源输入端则由主电源输入端输入的外部电源进行供电；而当自锁开关SW1断开时，或者自锁开关SW1闭合但是MOS管Q1的漏极电压低于设定阈值时，此时微处理器控制备用电源控制备用电源在设定时间内为负载电源输入端进行供电，从而达到延时断电的效果，而且由微处理器实现延时断电控制，工作上更加稳定可靠。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式为了进一步解释本技术的技术方案，下面通过具体实施例来对本技术进行详细阐述。如图1所示，本技术揭示了一种断电延时电路，其包括主电源输入端、负载电源输出端、第一开关模块、第二开关模块、掉电检测模块、备用电源和微处理器。配合图1所示，其中所述第一开关模块包括电阻R1、电阻R2、MOS管Q1和自锁开关SW1；所述电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接主电源输入端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端通过自锁开关SW1接地；所述第二开关模块包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、三极管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4；所述二极管D1的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D1的负极连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和电阻R3的一端，MOS管Q3的漏极连接负载电源输出端，MOS管Q3的栅极连接电阻R3的另一端和三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6另一端连接二极管D2的负极和二极管D3的负极，电阻R7的另一端接地，二极管D2的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D3的正极连接微处理器的一个输出端，微处理器的一个输出端通过掉电检测模块连接MOS管Q1的漏极，微处理器由备用电源进行供电；MOS管Q4的漏极连接备用电源的输出端，MOS管Q4的栅极连接电阻R4的一端和电阻R5的一端，电阻R4的另一端连接二极管D4的负极，二极管D4的正极连接MOS管Q1的漏极，电阻R5的另一端接地；所述微处理器通过掉电检测模块检测MOS管Q1的漏极电压，当MOS管Q1的漏极电压低于设定阈值，微处理器在设定时间内输出高电平给二极管D3的正极；该设定阈值可以为3.4伏特，该设定时间可以为2~5毫秒。本技术的工作原理为：当有外部电源接入主电源输入端时，若自锁开关SW1按下闭合，则MOS管Q1通过电阻R2接地，使得MOS管Q1导通，MOS管Q1的漏极电压为高电平；一方面，MOS管Q1的漏极电压为高电平会使得MOS管Q4的栅极电压也为高电平，此时MOS管Q4截止，备用电源不提供电源；另一方面，MOS管Q1的漏极电压为高电平使三极管Q2导通，而使得三极管Q2的集电极电压被拉低，进而使得MOS管Q3导通；这样负载电源输出端此时由外部电源进行供电；而当外部电源异常或者自锁开关SW1断开而使得MOS管Q1断开时，此时，MOS管Q1的漏极电压不是高电平而使得MOS管Q4的栅极为低电平，使得MOS管Q4导通，同时微处理器通过掉电检测模块检测到MOS管Q1的漏极电压低于设定阈值，此时微处理器在设定时间内输出高电平给二极管D3的正极。在微处理器输出高电平给二极管D3的正极的时间内，三极管Q2导通而使得MOS管Q3导通，此时负载电源输出端便由备用电源进行供电，该备用电源可以采用蓄电池；超过设定时间后，微处理器不再输出高电平给二极管D3的正极，此时三极管Q2截止而使得MOS管Q3截止，负载电源输出端没有电压。配合图1所示，其中所述掉电检测模块包括电阻R8、电阻R9和二极管D5，二极管D5的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D5的负极连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地；电阻R8和电阻R9的公共端连接微处理器的一个输入端。进一步，配合图1所示，所述第二开关模块还包括极性电容C1和非极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种断电延时电路，其特征在于：包括主电源输入端、负载电源输出端、第一开关模块、第二开关模块、掉电检测模块、备用电源和微处理器；/n所述第一开关模块包括电阻R1、电阻R2、MOS管Q1和自锁开关SW1；所述电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接主电源输入端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端通过自锁开关SW1接地；/n所述第二开关模块包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、三极管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4；所述二极管D1的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D1的负极连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和电阻R3的一端，MOS管Q3的漏极连接负载电源输出端，MOS管Q3的栅极连接电阻R3的另一端和三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6另一端连接二极管D2的负极和二极管D3的负极，电阻R7的另一端接地，二极管D2的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D3的正极连接微处理器的一个输出端，微处理器的一个输出端通过掉电检测模块连接MOS管Q1的漏极，微处理器由备用电源进行供电；MOS管Q4的漏极连接备用电源的输出端，MOS管Q4的栅极连接电阻R4的一端和电阻R5的一端，电阻R4的另一端连接二极管D4的负极，二极管D4的正极连接MOS管Q1的漏极，电阻R5的另一端接地；/n所述微处理器通过掉电检测模块检测MOS管Q1的漏极电压，当MOS管Q1的漏极电压低于设定阈值，微处理器在设定时间内输出高电平给二极管D3的正极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种断电延时电路，其特征在于：包括主电源输入端、负载电源输出端、第一开关模块、第二开关模块、掉电检测模块、备用电源和微处理器；
所述第一开关模块包括电阻R1、电阻R2、MOS管Q1和自锁开关SW1；所述电阻R1的一端和MOS管Q1的源极连接主电源输入端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和MOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端通过自锁开关SW1接地；
所述第二开关模块包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、三极管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4；所述二极管D1的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D1的负极连接MOS管Q3的源极、MOS管Q4的源极和电阻R3的一端，MOS管Q3的漏极连接负载电源输出端，MOS管Q3的栅极连接电阻R3的另一端和三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6另一端连接二极管D2的负极和二极管D3的负极，电阻R7的另一端接地，二极管D2的正极连接MOS管Q1的漏极，二极管D3的正极连接微处理器的一个输出端，微处理器的一个输出端通过掉电检测模块连接MOS管Q1的漏极，微处理器由备用电源进行供电；MOS管Q4的漏极连接备用电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金龙，
申请(专利权)人：厦门菲斯科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35