导电结构、触控面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种导电结构以及包括所述导电结构的触控面板及其制造方法，所述导电结构包括：a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供了一种导电结构以及包括所述导电结构的触控面板及其制造方法，所述导电结构包括：a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。【专利说明】
本申请基于2011年3月28日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2011-0027791号，并要求享有其优先权，其公开的全部内容在此通过引用的方式并入本文。本专利技术涉及一种导电结构、一种触控面板及其制造方法。本专利技术涉及一种包括导电图形的导电结构、一种触控面板及其制造方法。
技术介绍
通常，触控面板可以根据信号检测方法分类如下。就是说，触控面板分为:通过在施加DC电压的情况下改变电流值或电压值检测经压力压按的位置的电阻式(resistivetype);在施加AC电压的情况下使用电容稱合的电容式(capacitive type);以及在施加磁场的情况下随着电压的变化检测所选位置的电磁式(electromagnetic type)。
技术实现思路
技术问题在现有技术中，提高上述不同类型的触控面板的性能的技术发展是必需的。在此情况下，为达到目的，在相关技术中使用不同于ITO的金属细丝的情况下，问题在于由于金属的高反射导致图形被发现。技术方案本专利技术的一个不例性的实施方式提供了一种导电结构，其包括:a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形的区域中的暗化层。此外，本专利技术的另一个示例性的实施方式提供了一种包括所述导电结构的触控面板。此外，本专利技术的又一个示例性的实施方式提供了一种包括所述触控面板和显示组件的显示器。本专利技术的再一个示例性的实施方式提供了一种触控面板的制造方法，其包括:在基体上形成导电图形；在形成所述导电图形之前和之后形成暗化层；和诱导暗化层的电化腐蚀。本专利技术的还一个示例性的实施方式提供了一种触控面板的制造方法，其包括:形成导电层以在基体上形成导电图形；在形成所述导电层之前和之后沉积暗化层；分别或同时使所述导电层和所述暗化层图形化；和诱导图形化的暗化层的电化腐蚀。有益效果根据本专利技术的示例性的实施方式，在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，在导电图形的可见面上引入暗化层，从而可以在不影响导电图形的导电性的情况下，防止因导电图形引起的反射，并且，在可见面的侧面额外引入暗化层，从而可以提高黑化程度以改善导电图形的隐蔽性。另外，如上所述，通过引入暗化层，可以进一步改善触控面板的对比度特性。【专利附图】【附图说明】图1是显示如本专利技术的一个示例性的实施方式的通过使用电化腐蚀效应将暗化层引入导电图形的侧面的图。图2是如本专利技术的一个示例性的实施方式的根据实施例1的导电结构的电子显微镜照片。图3是如本专利技术的一个示例性的实施方式的根据实施例2的导电结构的电子显微镜照片。图4是如本专利技术的一个示例性的实施方式的根据实施例3的导电结构的电子显微镜照片。图5是如本专利技术的一个示例性的实施方式的根据实施例4的导电结构的电子显微镜照片。图6是根据本专利技术的一个示例性的实施方式的测量反射率的装置的构造和配置的图。图7是显示如本专利技术的示例性的实施方式的实施例5和6与比较例I和2的全反射率的结果的图。【具体实施方式】在下文中，将对本专利技术进行详细的说明。通常，触控面板使用基于ITO的导电层，但是当将ITO应用于大尺寸的触控面板时，问题在于:因其本身的RC延迟而导致其识别速度低。为了解决该问题，人们已经尝试引入额外的补偿芯片，但是存在着成本增加的问题。为了解决此问题，许多制造商正在开发使用金属图形替代ITO导电层的技术。然而，该技术的缺点在于:当使用普通的单一金属时，由于金属自身的高反射率，从被观察到的清晰程度来说，该图形会被人眼明显观察到，而且由于对外界光的高反射率和雾度值等会产生眩光。因此，本专利技术人进行了能够改善在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中的导电图形的可见度以及对外界光的反射特性的研究，这不同于相关技术中的使用基于ITO的导电层的触控面板。根据本专利技术的一个示例性的实施方式的导电结构，其包括:a)基体；b)在所述基体的至少一面上设置的导电图形；和c)设置在所述导电图形的上表面和下表面上、设置在所述导电图形的侧面的至少部分上以及设置在对应于导电图形区域的区域中的暗化层。本专利技术中，暗化层是指表现出如下特性的层:当同时将形成导电层的金属与暗化层层压并由此配置图形时，可见颜色因反射率和吸收特性而被黑化，而非指配置所述暗化层的层本身的颜色或吸光率表现为黑色。本专利技术中，在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，发现因导电图形引起的光反射对于导电图形的可见度具有重大影响的事实，此问题亟待被改善。特别是，在相关技术中的基于ITO的触控面板中，由于ITO本身的高透光度，所以因导电图形的反射率引起的问题并不严重，但是在包括设置在可用屏幕部分上的导电图形的触控面板中，发现导电图形的反射率和吸收特性对于线条的辨认具有重大影响的事实。因此，本专利技术中，为了降低导电图形的反射率以及改善触控面板的吸光率特性，在对应于导电图形的表面上形引入暗化层。在本专利技术中，将暗化层设置在触控面板中的导电图形的整个表面之上，由此减少因导电图形的高反射率而引起的可见度。详言之，因为暗化层在与具有高反射率的层(如导电图形)结合时在预定厚度条件下具有破坏性干扰和自吸收，所以通过类似于将由暗化层反射的光的量调节到通过暗化层的由导电图形反射的光的量，并且同时在预定厚度条件下，诱导两种光之间的交互破坏性干扰，由此降低导电图形的反射率。在此情况下，优选的是，暗化层具有比导电图形更低的反射率。因此，与使用者直接观看导电图形的情况相比，光线的反射率可被降低，所以导电图形的可见度可被大幅地降低。特别是，在本专利技术中，可以将暗化层设置在导电图形的整个表面(包括上表面、下表面以及侧面)上。根据在引入暗化层后另外进行的整个蚀刻和剥离程序的过程中因DI混合引起的PH变化，利用在异金属之间表现出的电化腐蚀作用，诱导在导电图形的上表面上的暗化层覆盖导电图形的侧面，由此设置在导电图形的整个表面上的暗化层可被形成在导电图形的上表面、下表面以及侧面上。在此情况下，电化腐蚀是指当异金属被浸溃在溶液中时，存在电位差，因此，在异金属之间出现电子的移动，在这种情况下，具有贵金属电位的金属的腐蚀速度则会降低，而具有活性电位的金属的腐蚀速度则会加速。也就是说，具有贵金属电位的金属是负电极，而具有活性电位的金属是正电极。因此，所引起的腐蚀被称为电化腐蚀或异金属接触腐蚀(dissimilar metal contact corrosion)。影响电化腐蚀的一个重要因素是负电极和正电极的面积比，并且随着正电极面积的电流密度的增加，电化腐蚀速度也增加。相反，具有小面积的负电极与具有大面积的正电极的组合是一种能够减少电化腐蚀的良好方式。作为本专利技术的一个示例性的实施方式，图1显示通过使用电化腐蚀将暗化层引入导电图形的侧面的各步骤的电子显微镜照片。考虑到在产生显影的区域中表面和侧面腐蚀的腐蚀效果在0.5μπ本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄智泳，朴珉春，孙镛久，具范谟，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：
国别省市：