化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法技术

技术编号:9451657 阅读:138 留言:0更新日期:2013-12-13 12:40
本发明专利技术公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池,其特征在于,具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层,其中,上述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池,其特征在于,具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层,其中,上述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。【专利说明】
本专利技术涉及具备采用含有纳米粒子的油墨而形成的化合物半导体缓冲层的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
太阳能电池是利用光电动势效应将光能转变为电能的装置。其从防止地球温室化和枯竭资源替代对策等的观点出发备受关注。太阳能电池根据作为最重要的构成要素的光吸收层的材料的不同,大致分为硅系(单晶、多晶、非晶型、它们的复合体)、化合物半导体系(CIGS化合物、CTZS化合物、第13族-第15族化合物、第2族-第16族化合物)、有机半导体系及色素增感系。其中,化合物半导体系太阳能电池(以下称为化合物半导体薄膜太阳能电池)由于光吸收系数大,制造工序的工序数相对较少,具有低成本化的可能性,因而作为承担节省资源和抑制全球变暖的能源的部分任务的新一代太阳能电池而备受期待。就这样的化合物半导体薄膜太阳能电池的光吸收层而言,现在使用了由第11族-第13族-第16族系的Cu 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:张毅闻山田明
申请(专利权)人:凸版印刷株式会社
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1