一种高亮LED频闪灯制造技术

本发明专利技术涉及一种高亮LED频闪灯，属于光源控制技术领域。包括频闪/爆闪同步检测电路，电路中接线端子J2的端口分别与瞬态电压抑制二极管TVS1正极和负极连接；瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与二极管D2串联后与三极管Q1的发射极连接，同时，瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与电阻R8串联后与三极管Q3的基极连接；三极管Q1的基极与电阻串联后与三极管Q2的基极连接，其集电极与三极管Q3的集电极同时与光电耦合器U2的输入端口连接，光电耦合器U2的输出端口与主控制器的输入端口连接；三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接，其发射极与三极管Q3的发射极连接同时接地。本发明专利技术使用频闪控制电路对LED灯进行频闪和爆闪控制，提高了光源的利用率和抓拍照片的质量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种高亮LED频闪灯，属于光源控制
。包括频闪/爆闪同步检测电路，电路中接线端子J2的端口分别与瞬态电压抑制二极管TVS1正极和负极连接；瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与二极管D2串联后与三极管Q1的发射极连接，同时，瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与电阻R8串联后与三极管Q3的基极连接；三极管Q1的基极与电阻串联后与三极管Q2的基极连接，其集电极与三极管Q3的集电极同时与光电耦合器U2的输入端口连接，光电耦合器U2的输出端口与主控制器的输入端口连接；三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接，其发射极与三极管Q3的发射极连接同时接地。本专利技术使用频闪控制电路对LED灯进行频闪和爆闪控制，提高了光源的利用率和抓拍照片的质量。【专利说明】—种高亮LED频闪灯
本专利技术属于光源控制
，涉及一种LED灯，尤其涉及一种与外设同步率效果好的高亮LED频闪灯。
技术介绍
在低照度环境下，摄像机感光元件同步噪声很大。在视频监控领域，为了在低照环境下获得较好的图像质量，一般会采用辅助光源来照亮拍摄区域。辅助光源可以分为常亮补光、频闪补光、爆闪补光三种。由于LED灯具有耗电量低、使用寿命长、亮度高、坚固耐用等优点，近年来己广泛应用。现有智能交通领域所使用的道路监控补光设备主要使用常亮补光与爆闪补光两种方式，但是，常亮补光方式亮度低，补光效果差且功耗大，发热量高，易导致LED光衰严重，寿命大大降低，不能达到道路监控的使用要求；爆闪补光则是在摄像机需要抓图像时才补光，像闪电一样闪烁，产生光污染较为严重。而且，两种补光方式均较为单一，无法同时实现连续补光及高亮抓拍闪光，无法满足道路违章连续抓拍的补光要求及抓拍质量要求较高的图片的要求。智能交通领域使用的另一种补光方式为频闪补光，具有亮度调节方便，光污染少的优势，应用越来越广泛，但是因为频闪补光灯实际是明暗交替工作的，其闪烁需要与摄像机曝光同步才能保证拍摄到的每幅图像都是明亮的，在电子警察、治安卡口、智能监控等领域应用时，需要保证拍摄到的每幅图像都应该是明亮的，因此，采用频闪补光时需要解决频闪补光与摄像机曝光同步的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种亮度高、抗干扰效果好、光源利用率高及与外设同步兼容性强的的高亮LED频闪灯。为了解决以上技术问题，本专利技术涉及一种高亮LED频闪灯，包括灯壳以及设置在灯壳内部的LED灯和控制装置，LED灯与控制装置通过导线连接，控制装置包括主控制器、与主控制器连接的频闪/爆闪同步检测电路和PWM调光电路。频闪/爆闪同步检测电路包括接线端子J2、频闪同步检测电路和爆闪同步检测电路。频闪同步检测电路包括瞬态电压抑制二极管TVS1、二极管D2、光电耦合器U3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3，接线端子J2的端口 3与外部成像装置的频闪信号或者抓拍信号连接，接线端子J2的端口 I与瞬态电压抑制二极管TVSl负极连接；瞬态电压抑制二极管TVSl的正极与二极管D2串联后与三极管Ql的发射极连接，同时，瞬态电压抑制二极管TVSl的正极与电阻R8串联后与三极管Q3的基极连接。三极管Ql的基极与电阻串联后与三极管Q2的基极连接，三极管Ql的集电极与三极管Q3的集电极连接，同时，与光电耦合器U3的输入端口连接，光电耦合器U3的输出端口与主控制器的输入端口连接；三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接，三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极连接后同时接地。爆闪同步检测电路包括瞬态电压抑制二极管TVS2、二极管D4、光电耦合器U6、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6，接线端子J2的端口 2与外部取像装置的爆闪信号连接，接线端子J2的端口 I与瞬态电压抑制二极管TVS2负极连接；瞬态电压抑制二极管TVS2的正极与二极管D4串联后与三极管Q5的发射极连接，同时，瞬态电压抑制二极管TVS2的正极与电阻R22串联后与三极管Q4的基极连接。三极管Q5的基极与电阻串联后与三极管Q6的基极连接，三极管Q4的集电极与三极管Q4的集电极连接，同时，与光电耦合器U6的输入端口连接，光电耦合器U6的输出端口与主控制器的输入端口连接；三极管Q6的集电极与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的发射极与三极管Q6的发射极连接后同时接地。本专利技术进一步限定的技术方案是:还包括与主控制器连接的交流市电过零检测电路，交流市电过零检测电路包括接线端子J1、二极管D1、压敏电阻RVl和光电耦合器U1，接线端子Jl的接收端口与外部设备的交流电过零同步信号输出端口连接，接线端子Jl的端口 I和端口 2分别与压敏电阻RVl的两端相连，压敏电阻RVl的两端分别连接电阻Rl和电阻R2后与二极管Dl的正负极并联，二极管Dl的正负极与光电耦合器Ul的输入端口相连，光电稱合器Ul的输出端口与主控制器输入引脚连接。进一步的，还包括与主控制器连接的RS485通讯接口。进一步的，还包括与主控制器连接的温度检测电路，温度检测电路焊接在铝基板上，并前置于灯壳玻璃罩内。温度传感器为热敏电阻，温度检测电路包括电阻R14、精密电阻R15和热敏电阻R16，精密电阻R15和热敏电阻R16组成分压电路，分压电路连接电阻R14后与灯壳后面的主控制器相连。进一步的,还包括与主控制器连接的売度检测电路，売度检测电路焊接在招基板上，并前置于灯壳玻璃罩内。亮度传感器为光敏二极管，亮度检测电路包括亮度传感器D3、电阻Rl7和精密电阻R18，亮度传感器D3和精密电阻R18组成分压电路，分压电路连接电阻R17后与灯壳后面的主控制器相连。进一步的，还包括恒流驱动电路，恒流驱动电路通过PWM调光电路与主控制器连接。进一步的，PWM信号为基波与调制波合成，基波是交流市电频率或高清摄像机输出的频闪信号的自动倍频，倍频后频率范围在60-100HZ之间，消除人眼感觉灯光闪烁现象并保证频闪与监控摄像机成像完全同步，达到最佳补光效果，所述调制波为占空比为0-255的高频信号，用于控制单次频闪亮度。进一步的，大功率LED灯均并联TVS瞬态电压抑制二极管和串联PTC自恢复保险丝。进一步的，控制装置电源为24V-24V开关电源，开光电源的第一直流电源经DC-DC变换器变换、滤波后转化为5V直流电源。本专利技术的有益效果是:本专利技术使用频闪控制电路有序的对大功率LED灯进行频闪与闪光控制，在连续补光的同时进行闻売闪光抓拍，不仅提闻了光源的利用率而且提闻了照片的质量；本专利技术利用工频交流电路作为曝光同步以及频闪同步的共同参考源，使外部设备与该高亮LED频闪灯实现无线连接；同时使用频闪/爆闪触发信号检测电路使本专利技术与市面上的各类高清像机的兼容性更强；本专利技术PWM信号调光电路传输的PWM信号为基波与调制波合成，基波自动倍频后可以消除人眼感觉灯光闪烁现象并保证频闪与监控像机成像完全同步，同时，调制波用于控制单次频闪亮度，在爆闪信号触发情况下，LED灯根据预设的相位和闪光时间长度生成频闪脉冲信号，以最大亮度进行闪光，保证抓拍时最亮。本专利技术亦从根本上解决了大功率LED灯一直存在着的功耗大、发热量高、光衰严重、寿命短等问题。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的测控原理结构框图。图3是本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮LED频闪灯，包括灯壳以及设置在所述灯壳内部的LED灯和控制装置，所述LED灯与所述控制装置通过导线连接，其特征在于：所述控制装置包括主控制器、与所述主控制器连接的频闪/爆闪同步检测电路和PWM调光电路；所述频闪/爆闪同步检测电路包括接线端子J2、频闪同步检测电路和爆闪同步检测电路；所述频闪同步检测电路包括瞬态电压抑制二极管TVS1、二极管D2、光电耦合器U3、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3，所述接线端子J2的端口3与外部成像装置的频闪信号或者抓拍信号连接，所述接线端子J2的端口1与所述瞬态电压抑制二极管TVS1负极连接；所述瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与所述二极管D2串联后与所述三极管Q1的发射极连接，同时，所述瞬态电压抑制二极管TVS1的正极与电阻R8串联后与三极管Q3的基极连接；所述三极管Q1的基极与电阻串联后与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q1的集电极与所述三极管Q3的集电极连接，同时，与所述光电耦合器U3的输入端口连接，所述光电耦合器U3的输出端口与所述主控制器的输入端口连接；所述三极管Q2的集电极与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q2的发射极与所述三极管Q3的发射极连接后同时接地；?所述爆闪同步检测电路所述包括瞬态电压抑制二极管TVS2、二极管D4、光电耦合器U6、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6，接线端子J2的端口2与外部取像装置的爆闪信号连接，所述接线端子J2的端口1与所述瞬态电压抑制二极管TVS2负极连接；所述瞬态电压抑制二极管TVS2的正极与所述二极管D4串联后与所述三极管Q5的发射极连接，同时，所述瞬态电压抑制二极管TVS2的正极与电阻R22串联后与三极管Q4的基极连接；所述三极管Q5的基极与电阻串联后与所述三极管Q6的基极连接，所述三极管Q4的集电极与所述三极管Q4的集电极连接，同时，与所述光电耦合器U6的输入端口连接，所述光电耦合器U6的输出端口与所述主控制器的输入端口连接；所述三极管Q6的集电极与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极与所述三极管Q6的发射极连接后同时接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大伟，汤玉东，滕福林，胡卫国，陈鑫元，朱佳，王柏瑜，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：