一种大电流电源防反接保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种大电流电源防反接保护电路，包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，所述CMOS管的栅极电压由一分压电路保护。本发明专利技术保护电路尽量少的自身功率消耗；保护电路能够通过大电流；能够抵抗高强度的浪涌干扰。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种大电流电源防反接保护电路，包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，所述CMOS管的栅极电压由一分压电路保护。本专利技术保护电路尽量少的自身功率消耗；保护电路能够通过大电流；能够抵抗高强度的浪涌干扰。【专利说明】一种大电流电源防反接保护电路
本专利技术涉及反接保护电路，特别涉及一种大电流电源防反接保护电路。
技术介绍
目前，大部分的电源反接保护采用普通的二极管实现，当系统电流较大时，二极管因发热较严重，将常有二极管烧毁的现象，导致设备故障。图1示出了现有技术的电源反接保护电路的电路示意图，其主要是将二极管Dl串接在电源与负载之间，存在的问题主要有:1) 二极管本身发热；2)不能经过较大电流；3) 二极管的功率要求比较大；4)浪涌干扰等级较低；5)占用PCB空间较大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一大电流电源防反接保护电路，以保护电路尽量少消耗自身功率，保护电路能够通过大电流，并且能够抵抗高强度的浪涌干扰。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的:一种大电流电源防反接保护电路，其中，包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，所述CMOS管的栅极电压由一分压电路保护。上述大电流电源防反接保护电路，其中，所述CMOS管为PMOS管，所述PMOS管的漏极接电源正极。上述大电流电源防反接保护电路，其中，所述稳压二极管为TVS。相对于现有技术，本专利技术具有以下优势:I)保护电路尽量少的自身功率消耗，减少系统发热，提高可靠性；2)保护电路能够通过大电流，实现大电流输入；3)能够抵抗高强度的浪涌干扰，实现四级浪涌干扰保护。【专利附图】【附图说明】构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为现有技术中电源防反接保护电路的电路结构示意图；图2为本专利技术大电流电源防反接保护电路的电路结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术的基本思想在于:设计一种大电流电源防反接保护电路。下面结合附图，对本专利技术的各优选实施例作进一步说明:参照图2，本专利技术实施例大电流电源防反接保护电路包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，CMOS管的栅极电压由一分压电路R1、R2实现保护。CMOS管选用低导通内阻、大功率PMOS管，PMOS管的漏极接电源正极。稳压二极管为TVS，并联TVS管以增加电源防浪涌等级，TVS (Transient Voltage Suppressor,瞬态电压抑制器),是一种二极管形式的高效能保护器件，当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。参看图2，当电源极性接反时，Ql和Zl均不导通，电路不能形成回路，系统不工作，反接保护功能实现。当电源正常接入时，二极管Zl先导通，然后通过Rl和R2分压使Vgs电压达到导通电压，随后Ql导通。Ql导通后，因导通内阻很低(小于0.01 Ω)Ζ1被短路，电路进入正常工作模式，因为Ql为大功率器件，可以持续工作电流为90Α。Zl还有一个主要的作用，当正浪涌2KV通过时，系统直接通过，当浪涌-2KV出现时，Zl嵌位放电，保护Ql不被击穿。Zl自身带有的寄生二极管，当源极和漏极之间的电压太大时，它被反向击穿，起到钳位保护作用。本专利技术具有以下优势:I)保护电路尽量少的自身功率消耗，减少系统发热，提高可靠性；2)保护电路能够通过大电流，实现大电流输入；3)能够抵抗高强度的浪涌干扰，实现四级浪涌干扰保护。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种大电流电源防反接保护电路，其特征在于，包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，所述CMOS管的栅极电压由一分压电路保护。2.根据权利要求1所述大电流电源防反接保护电路，其特征在于，所述CMOS管为PMOS管，所述PMOS管的漏极接电源正极。3.根据权利要求2所述大电流电源防反接保护电路，其特征在于，所述稳压二极管为TVS。【文档编号】H02H11/00GK103441486SQ201310354973【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月14日 优先权日:2013年8月14日 【专利技术者】邓武仓, 张军军, 杨国勋 申请人:上海华兴数字科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大电流电源防反接保护电路，其特征在于，包括相互并联的稳压二极管和CMOS管，所述CMOS管的栅极电压由一分压电路保护。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓武仓，张军军，杨国勋，
申请(专利权)人：上海华兴数字科技有限公司，
类型：发明
国别省市：