在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。【专利说明】显示装置
本专利技术涉及液晶显示装置等的显示装置。
技术介绍
近年来，液晶显示装置在多种领域中使用，且在多种环境下也能够使用。液晶显示装置例如在高温高湿的环境也能够使用。但是，在高温高湿的环境下使用液晶显示装置时，受到进入至装置的内部的水分的影响，有可能导致薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下称为TFT)的特性变动，发生显示恶化。图16是现有的液晶显示装置的截面图。图16所示的液晶显示装置具有将TFT基板81与对置基板82贴合并在2张基板之间封入液晶83而形成的构造。在2张基板相对的部分的周围设置有密封件84。TFT基板81能够通过在玻璃基板85上形成TFT86并在其之上形成保护膜87和平坦化膜88而得到。平坦化膜88例如使用丙烯酸树脂膜。但是，丙烯酸树脂制的平坦化膜88具有高吸湿性。因此，在高温高湿的环境下使用液晶显示装置的情况下，空气中的水分从密封件84的附近侵入平坦化膜88 (参照箭头Al)。侵入的水分在平坦化膜88内扩散，到达TFT86的附近。虽然TFT86被保护膜87覆盖，但在TFT86的表面存在有凹凸部，因此难以用保护膜87完全覆盖TFT86。因此，存在水分透过保护膜87到达至保护膜87与半导体层89的界面的情况。此时，TFT86的特性受到水分的影响而变动较大。专利文献I中记载有用于解决该问题的液晶显示装置(参照图17和图18)。在图17所示的液晶显示装置中，平坦化膜91的端面被密封件92覆盖。在图18所示的液晶显示装置中，平坦化膜91的端面被保护膜95覆盖。这样，在专利文献I中记载有以平坦化膜91不直接与空气接触的方式构成的液晶显示装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10 - 232404号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的问题但是，图17所示的液晶显示装置中，水分容易从密封件92与栅极绝缘膜93的界面侵入(参照箭头A2)。图18所示的液晶显示装置中，水分容易从密封件92与保护膜95的界面侵入(参照箭头A3)。当从这些界面侵入的水分到达平坦化膜91时，水分在平坦化膜91内扩散，容易到达TFT94的附近。因此，在这些液晶显示装置中，不能够充分防止因平坦化膜的吸湿弓I起的显示劣化。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化的显示装置。用于解决课题的技术方案本专利技术的第一方面是一种显示装置，其具有将2个基板贴合而得到的结构，该显示装置的特征在于，包括:第一基板，其包括形成在绝缘性基板上的薄膜晶体管和覆盖上述薄膜晶体管的平坦化膜；和与上述第一基板相对配置的第二基板，上述第一基板还包括覆盖上述平坦化膜的整个表面的防湿性的保护膜。本专利技术的第二方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，还包括在上述第一基板和上述第二基板相对的部分的周围设置的密封件，上述平坦化膜的端面配置在由上述密封件围成的区域内或者上述密封件之下。本专利技术的第三方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述平坦化膜的端面具有锥形(楔形，taper)形状。本专利技术的第四方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述第一基板还包括:设置在隔着上述保护膜与上述平坦化膜相反的一侧的像素电极；和将上述像素电极与上述薄膜晶体管的电极电连接的接触部， 在上述接触部的侧面形成有上述保护膜。本专利技术的第五方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述第一基板还包括:设置在上述保护膜的一个面一侧且与上述薄膜晶体管的电极电连接的第一电极；和设置在上述保护膜的另一个面一侧且与共用配线电连接的第二电极。本专利技术的第六方面的特征在于，在本专利技术的第五方面中，上述第一电极具有狭缝形状。本专利技术的第七方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述保护膜为SiO2膜、SiN膜、SiON膜和它们的叠层膜中的任一个。本专利技术的第八方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的半导体层。本专利技术的第九方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述薄膜晶体管具有由非晶硅和结晶硅中的任一个形成的半导体层。本专利技术的第十方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，上述平坦化膜为树脂膜。专利技术效果根据本专利技术的第一方面，保护膜设置在平坦的面上，所以平坦化膜的被覆性提高。因此，通过使用具有防湿性的保护膜来覆盖平坦化膜的整个表面，能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第二方面，通过将平坦化膜的端面配置在由密封件围成的区域内或者密封件之下，能够防止平坦化膜的端面与空气直接接触，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第三方面，通过将平坦化膜的端面设为锥形(楔形，taper)形状，能够提高平坦化膜的端面的被覆性，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第四方面，通过在接触部的侧面也形成防湿性的保护膜，能够减少水分向平坦化膜侵入的路径，进一步有效地防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第五方面，通过在两个电极之间夹入设置为防湿用的保护膜来形成电容，由此，能够将所形成的电容作为辅助电容使用。另外，通过将2个电极设为透明电极，能够使辅助电容具有光透射性，从而提高显示元件的开口率。根据本专利技术的第六方面，通过将第一电极设为狭缝形状，能够产生边缘电场(fringe electric field)。因此,在液晶显示装置中，能够使用所产生的边缘电场来控制液晶的取向，改善视野角特性。根据本专利技术的第七方面，通过使用具有防湿性的SiO2膜、SiN膜、SiON膜、或者它们的叠层膜来作为保护膜，能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。该效果在使用具有高防湿性的SiN膜、SiON膜的情况下显著。根据本专利技术的第八方面，在包括在受到水分的影响时特性大幅变动的氧化物半导体TFT的显示装置中，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第九方面，在包括非晶硅TFT或者结晶硅TFT的显示装置中，能够防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。根据本专利技术的第十方面，即使在使用具有高吸湿性的树脂制的平坦化膜的情况下，通过使用具有防湿性的保护膜来覆盖平坦化膜的整个表面，也能够防止水分向平坦化膜侵入，防止因平坦化膜的吸湿引起的显示劣化。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的第一实施方式的液晶显示装置的截面图。图2A是表示图1所示的液晶显示装置的制造工序的图。图2B是图2A的后续图。图2C是图2B的后续图。图2D是图2C的后续图。图2E是图2D的后续图。图2F是图2E的后续图。图2G是图2F的后续图。图2H是图2G的后续图。图21是图2H的后续图。图3是表示氧化物半导体TFT的特性变化的例的图。图4是表示图1所示的液晶显示装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：守口正生，神崎庸辅，高西雄大，楠见崇嗣，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：
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