晶片边缘清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种晶片边缘清洗装置，包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。本发明专利技术晶片边缘清洗装置通过设置所述阻挡罩，在清洗晶片边缘的过程中，很好的阻止了清洗液向晶片中心区域的飞溅，同时也利于清洗液的回收。

【技术实现步骤摘要】
晶片边缘清洗装置
本专利技术涉及一种晶片清洗装置，尤其涉及一种晶片边缘清洗装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，半导体晶片要经受例如掩膜、刻蚀、淀积以及清洗等工艺处理，由此来形成半导体器件所需的电子电路。随着半导体器件尺寸的逐渐变小，去除晶片表面的污染物变得愈来愈重要，从而使得清洗工艺在半导体器件的制造过程中变得十分关键。晶片每经受一次工艺处理之后，都需要被清洗。但常规的清洗工艺只能去除晶片中心区域的污染物，而不能有效去除晶片边缘的污染物。而晶片边缘的污染物如果得不到很好的去除，将会导致至少两方面的危害：一是晶片边缘的污染物如金属离子会扩散到晶片中心区域，进而污染整个晶片，从而降低半导体器件的制造良率；二是晶片边缘的污染物会通过边缘夹、晶片夹以及晶片盒等的使用而转移到其它晶片上，造成对其它晶片的污染。为了有效去除晶片边缘的污染物，各种清洗晶片边缘的装置应运而生。例如美国专利号5868857公开一种名为“旋转带晶片边缘清洗装置”，该晶片边缘清洗装置利用旋转带按压晶片的边缘，旋转带转动时，旋转带与晶片的边缘之间产生摩擦力，通过摩擦力去除晶片边缘的污染物。该晶片边缘清洗装置采用机械结构的方式去除晶片边缘的污染物，而此种方式容易对晶片造成物理损伤。为了克服上述技术问题，通常采用化学液体清洗晶片的边缘。例如美国专利号6691719公开一种名为“用于晶片边缘清洗的可调整的喷嘴”，该晶片边缘清洗装置利用喷嘴喷射化学液体到晶片的边缘，化学液体与晶片边缘的污染物发生化学反应，从而去除晶片边缘的污染物。在清洗过程中，晶片往往通过边缘夹而定位在晶片夹盘上以便清洗，晶片夹盘带动晶片旋转时，化学液体会喷射到边缘夹上，从而造成化学液体的飞溅，当化学液体飞溅到晶片的中心区域时，会损伤晶片中心区域的图形，同时，化学液体的飞溅也为化学液体的回收增加了难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能阻止清洗液飞溅并有利于清洗液回收的晶片边缘清洗装置。为实现上述目的，本专利技术晶片边缘清洗装置包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。综上所述，本专利技术晶片边缘清洗装置清洗一晶片的边缘时，该晶片边缘清洗装置设置在所述晶片的边缘的上方。所述晶片放置在一可旋转的晶片夹盘上。若干边缘夹均匀分布在所述晶片夹盘的边缘并将所述晶片固定在所述晶片夹盘上。所述喷嘴向所述晶片边缘喷射清洗液，所述晶片夹盘带动所述晶片旋转，所述阻挡罩的后壁和两侧壁阻挡从所述边缘夹反溅回来的清洗液，从而阻止清洗液飞溅到所述晶片的中心区域而对所述晶片中心区域的图形造成损伤。清洗液沿着所述阻挡罩的后壁和两侧壁流入所述两导流槽内，方便了清洗液的回收。附图说明图1是本专利技术晶片边缘清洗装置的立体示意图。图2是本专利技术晶片边缘清洗装置移除阻挡罩后的立体示意图。图3是本专利技术晶片边缘清洗装置的阻挡罩的立体示意图。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。请参阅图1、图2及图3，为本专利技术晶片边缘清洗装置的一实施例的示意图。该晶片边缘清洗装置设置在一晶片W的边缘的上方。该晶片W放置在一可旋转的晶片夹盘10上。若干边缘夹20均匀分布在所述晶片夹盘10的边缘并将所述晶片W固定在所述晶片夹盘10上。所述晶片边缘清洗装置包括一水平布置的支撑臂30、一连接部40和一固持部50。所述支撑臂30具有相对的第一端和第二端，所述第二端与一个驱动装置相连（图中未示）。所述连接部40的一端与所述支撑臂30的第一端活动连接，该活动连接是指所述连接部40连接于所述支撑臂30，同时，能够绕垂直于所述晶片W的直线顺时针或者逆时针转动。所述固持部50设置在所述连接部40的另一端，与所述支撑臂30相对，也可以理解为所述固持部50和所述支撑臂30位于所述连接部40的两端。该固持部50上安装有喷嘴70，具体的，所述喷嘴70与转杆80连接，所述转杆80设置在所述固持部50上。所述喷嘴70可绕所述转杆80在垂直于所述晶片W的平面内逆时针或顺时针转动，这样，可以改变所述喷嘴70的喷射方向与所述晶片W径向之间的夹角。所述喷嘴70是可拆卸式的喷嘴，因此所述喷嘴70可以更换，比如，在出口直径为0.1mm-1mm中选取不同大小的喷嘴，以达到清洗效果和效率的最优化。为了实现本专利技术的目的，本专利技术晶片边缘清洗装置还包括阻挡罩90，所述阻挡罩90具有一底壁91、后壁92及两侧壁93。所述底壁91、后壁92及两侧壁93围成一收容空间收容所述固持部50及安装其上的喷嘴70。所述底壁91具有一“U”形开口，所述底壁91的边缘向上凸伸形成一与所述后壁92平行的挡板96，所述底壁91的两侧靠近侧壁93处分别开设有一导流槽94。所述导流槽94呈倾斜状，具体的，自靠近所述后壁92的一端向远离所述后壁92的一端逐渐向下倾斜，这样，便于清洗液沿所述导流槽94流出所述阻挡罩90。所述两导流槽94分别延伸到所述晶片W的边缘外。所述两侧壁93上分别设有安装孔95以将所述固持部50固定在所述阻挡罩90内。使用该晶片边缘清洗装置清洗所述晶片W的边缘时，为了得到理想的边缘清洗效果，首先，通过所述驱动装置驱动所述支撑臂30沿所述晶片W的径向运动，使所述喷嘴70运动至所述晶片W边缘的上方，然后通过所述驱动装置驱动所述支撑臂30沿垂直于所述晶片W的直线上下运动而调节所述支撑臂30相对于所述晶片W的距离，由于所述连接部40连接于所述支撑臂30，所述固持部50连接于所述连接部40以及所述喷嘴70连接于所述固持部50，进而，调节所述喷嘴70与所述晶片W之间的距离，比如，控制所述喷嘴70与所述晶片W表面之间的距离在0-15毫米；所述喷嘴70与所述晶片W之间的距离设定之后，所述连接部40绕垂直于所述晶片W的直线旋转到一定角度，此时，所述喷嘴70与所述晶片W的圆周切线之间具有一夹角，该夹角的范围在10°-80°为最佳；所述喷嘴70绕所述转杆80转动到一定角度，具体的，为所述喷嘴70与所述晶片W径向之间的夹角，该夹角的范围在0°-70°为最佳。所述喷嘴70喷射清洗液清洗所述晶片W的边缘时，所述晶片夹盘10带动所述晶片W旋转，所述阻挡罩90的后壁92和两侧壁93阻挡从所述边缘夹20反溅回来的清洗液，阻止了清洗液飞溅到所述晶片W的中心区域而对所述晶片W中心区域的图形造成损伤。所述挡板96的设置使得所述阻挡罩90内积聚的清洗液只能流入两导流槽94内，进而流出晶片W边缘外，方便了清洗液的回收。由上述可知，本专利技术晶片边缘清洗装置通过设置所述阻挡罩90，在清洗所述晶片W边缘的过程中，很好的阻止了清洗液向所述晶片W中心区域的飞溅，同时也利于清洗液的回收。综上所述，本专利技术晶片边缘清洗装置通过上述实施方式及相关图式说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片边缘清洗装置，用于清洗一晶片的边缘，包括：一支撑臂，具有相对的第一端和第二端；一连接部，所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接；一固持部，设置在所述连接部的另一端；一喷嘴，安装在所述固持部上；以及一阻挡罩，具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。

【技术特征摘要】
1.一种晶片边缘清洗装置，用于清洗一晶片的边缘，包括：一支撑臂，具有相对的第一端和第二端；一连接部，所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接；一固持部，设置在所述连接部的另一端；一喷嘴，安装在所述固持部上；以及一阻挡罩，具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽，其中，所述连接部能绕垂直于晶片的直线顺时针或者逆时针转动以调节所述喷嘴与所述晶片的圆周切线之间的夹角。2.根据权利要求1所述的晶片边缘清洗装置，其特征在于：两导流槽分别自靠近后壁的一端向远离后壁的一端逐...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坚，赵宇，吴均，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：