核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置制造方法及图纸

技术编号:9357410 阅读:126 留言:0更新日期:2013-11-21 00:41
本发明专利技术公开了一种核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置,堆坑上腔在主管道层的主屏蔽体上开设有主管道开孔,主管道开孔在容主管道穿过后供检修人员进出,中子屏蔽装置包括设于主屏蔽体外、堆坑上腔主管道开孔出口处的中子屏蔽门,中子屏蔽门上开设有能容主管道穿过的穿孔。与现有技术相比,本发明专利技术核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置通过拓宽堆坑上腔主管道开孔并在主管道开孔出口处设置中间带孔的中子屏蔽门,取消了堆坑上腔专设人员进出通道,既降低了放射性泄露的概率,又降低了检修人员所受辐照;此外,与设于主管道开孔中的中子屏蔽体相比,本发明专利技术的中子屏蔽门具有加工制造成本低、开闭便捷等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种核电厂堆坑上腔主管道的中子屏蔽装置,所述堆坑上腔在主管道层的主屏蔽体上开设有主管道开孔,主管道开孔在容主管道穿过后供检修人员进出,其特征在于:所述中子屏蔽装置包括设于主屏蔽体外、堆坑上腔主管道开孔出口处的中子屏蔽门,中子屏蔽门上开设有能容主管道穿过的穿孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨寿海潘跃龙唐邵华黄倩倩
申请(专利权)人:中广核工程有限公司中国广核集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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