近场噪声抑制片材制造技术

本发明专利技术提供一种近场噪声抑制片材，其将在一方的面上形成有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合，各金属薄膜由磁性金属构成，并且调整各金属薄膜的膜厚以使粘合后的一对金属薄膜的表面电阻为20～150Ω/单位面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近场噪声抑制片材
本专利技术涉及一种近场噪声抑制片材，其适用于移动电话、智能手机等移动通信终端以及个人计算机等电子设备等中。
技术介绍
近年来，移动通信终端、电子设备等在多功能化和高性能化之外，还追求其小型化和轻量化，在狭小空间内高密度地配置电子零件，并且还谋求高速化。因此，电路和零件之间的电磁波噪声、特别是高频噪声成为很大的问题。为了抑制这样的近场电磁波噪声，提出了多种噪声抑制片材，并且将其实用化。上述噪声抑制片材大多含有磁性材料以及／或者导电材料。例如，在日本特开2010-153542号中公开了如下所述的电磁波噪声抑制片材，其包括：基材；由Cu等金属或者碳离子、含有鳞片或者细线的导电性涂敷材料构成的导电层；以及由含有铁素体、铁硅铝磁合金、强磁性铁镍合金等软磁性材料的磁性涂敷材料构成的磁性层。此外，在日本特开2006-278433号中公开了如下所述的复合电磁波噪声抑制片材：例如将具有Febal-Cu1-Si12.5-Nb3-Cr1-B12（原子％）的组成的非晶片那样的、由软磁性体粉末和树脂构成且进行了压延加工的两枚以上的片材进行层叠，进一步利用压延加工而实现一体化。然而，在日本特开2010-153542号以及日本特开2006-278433号中公开的噪声抑制片材皆存在如下问题：不具有足够的近场噪声吸收能力，由于将磁性材料以及／或者导电材料揉入到树脂中而成形为片材，因此难以实现薄壁化，并且制造成本较高。日本特开2006-279912号公开有如下所述的内容：对于由准微波带产生的电磁波噪声，为了将其反射系数（S11）设在-10dB以下、并且将噪声抑制效果（ΔPloss/Pin）设在0.5以上，作为将表面电阻整合为空间的特性阻抗Z（377Ω）的、被控制在10～1000Ω/单位面积的近场电磁波噪声抑制薄膜而采用AlO、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜。然而，该近场电磁波噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力不足。日本特开2008-53383号公开有如下所述的电波吸收屏蔽膜：其包括：导热率在面方向与厚度方向上不同的石墨膜；以及形成在石墨薄膜之上的、含有Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等软磁性体、Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等的铁素体以及碳颗粒的软磁性层，该电波吸收屏蔽膜的散热特性优异。然而，该电波吸收屏蔽膜的电磁波吸收能力也不足。日本特开2006-93414号公开有如下所述的传导噪声抑制体：在聚酯等塑料基体（也可以含有软磁性金属、碳、铁素体等粉末）上通过物理蒸镀法，形成含有从铁、钴以及镍中选出的至少一种软磁性金属的、厚度为0.005～0.3μm的传导噪声抑制层，传导噪声抑制层由具有隔开数埃的间隔排列软磁性金属原子而成的晶格的部分、不存在软磁性金属仅为塑料的非常小的部分以及软磁性金属未结晶化且分散在塑料中的部分构成。然而，在该传导噪声抑制体处，传导噪声抑制层为单层，难以控制其厚度。因此，几乎在所有的实施例中都在塑料基体上复合有软磁性金属。此外，在唯一使用未复合有软磁性金属的塑料基体的实施例4中，1GHz的电力损耗率（Ploss/Pin）小至0.55。
技术实现思路
因而，本专利技术的目的在于，提供一种近场噪声抑制片材，其对数百MHz至数GHz的电磁波噪声具有稳定且较高的吸收能力，并且成本较低。解决方案鉴于上述目的而深入研究，其结果是，本专利技术者发现：（a）当调整在塑料膜上形成的金属薄膜的厚度使其表面电阻为20～150Ω/单位面积时，对于近场噪声能够发挥优异的吸收能力，但是由于表面电阻为20～150Ω/单位面积的金属薄膜非常薄，因此无论是在相同生产批次间还是不同生产批次间，都难以避免表面电阻的离散增大的情况；（b）若将这种具有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合，则表面电阻的离散会显著降低，从而可以稳定地得到具有所期望的表面电阻的金属薄膜，以至想到本专利技术。即，本专利技术的近场噪声抑制片材的特征在于，将在一方的面上形成有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合，各金属薄膜由磁性金属构成，并且调整各金属薄膜的厚度以使粘合后的一对金属薄膜的表面电阻为20～150Ω/单位面积。所述磁性金属优选为Ni、Fe、Co或者其合金，特别优选为Ni。两金属薄膜的厚度优选处于10～30nm的范围内。粘合后的一对金属薄膜的表面电阻优选为30～80Ω/单位面积。所述金属薄膜优选通过真空蒸镀法来形成。专利技术效果具有上述结构的本专利技术的近场噪声抑制片材具有下述优点：对数百MHz至数GHz的近场噪声具有较高的吸收能力，并且，尽管金属薄膜非常薄，但其表面电阻的离散显著降低，并且与电磁波吸收能力相关而使产品间的离散非常小。具有上述特征的本专利技术的近场噪声抑制片材对于移动电话、智能手机等各种移动通信终端、个人计算机等电子设备中的近场噪声的抑制是有效的。附图说明图1是表示构成本专利技术的近场噪声抑制片材的一对片材的剖视图。图2是表示本专利技术的近场噪声抑制片材的构造的放大剖视图。图3是表示构成本专利技术的近场噪声抑制片材的片材的金属薄膜的构造的放大剖视图。图4是表示测定形成于塑料膜上的金属薄膜的表面电阻的方法的俯视图。图5（a）是表示测定本专利技术的近场噪声抑制片材的金属薄膜的表面电阻的方法的俯视图。图5（b）是图5（a）的A-A剖视图。图6是表示在塑料膜上蒸镀的Ni薄膜的表面电阻与目标膜厚之间的关系的图表。图7（a）是表示测定相对于入射波的反射波的电力以及透射波的电力的系统的俯视图。图7（b）是表示图7（a）的系统的局部剖视概略图。图8是表示测定近场噪声抑制片材的内部退偶率的方法的局部剖视概略图。图9是表示测定近场噪声抑制片材的相互退偶率的方法的局部剖视概略图。图10是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。图11是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。图12是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。图13是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。图14是表示实施例1以及比较例1、2的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。图15是表示比较例1、2的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。图16是表示比较例1、2的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。图17是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。图18是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。图19是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。图20是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。图21是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。图22是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。图23是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。图24是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。图25是表示实施例1以及实施例7、8的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。图26是表示实施例7的近场噪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.02.25 JP 2011-0409771.一种近场噪声抑制片材，其特征在于，将在一方的面上形成有Ni蒸镀薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以所述Ni蒸镀薄膜为内侧进行粘合，各Ni蒸镀薄膜具有10～30nm的范围内的膜厚，并且具有较厚的区域和较薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：加川清二，
申请(专利权)人：加川清二，
类型：
国别省市：