磁共振断层造影设备的全身线圈和磁共振断层造影设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于磁共振断层造影设备(101)的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有在高频天线(108)和HF屏蔽(HFS)之间的一个或多个补偿电容器(Ck)，所述补偿电容器(Ck)分别具有随着HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)变化而变化的电容。

【技术实现步骤摘要】
磁共振断层造影设备的全身线圈和磁共振断层造影设备
本专利技术涉及一种用于磁共振断层造影设备的全身线圈(102)和一种磁共振断层造影设备。
技术介绍
例如由DE10314215B4公知通过磁共振断层造影来检查对象或患者的磁共振断层造影设备(MRT)。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，优化磁共振断层造影设备。上述技术问题分别通过本专利技术的用于磁共振断层造影设备的全身线圈和磁共振断层造影设备来解决。附图说明本专利技术的可能的实施方式的其它特征和优点借助于附图由下面对实施例的描述给出。附图中：图1简化示出了具有梯度线圈、HF屏蔽和发射天线的装置的视图，图2简化示出了具有梯度线圈、HF屏蔽和发射天线的装置的另一个视图，图3示出了穿过MRT的天线和梯度线圈的横截面，图4A以横截面示出了具有补偿电容器的按照本专利技术的装置，图4B透视地示出了具有补偿电容器的按照本专利技术的装置，图5示出了补偿电容器的效果的示例，图6示意性示出了MRT系统。具体实施方式图6(尤其作为背景)示出了(位于屏蔽的空间或法拉第笼F中的)具有全身线圈102的成像的磁共振断层造影设备MRT101，该全身线圈102具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于磁共振断层造影设备(101)的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有在高频天线(108)和HF屏蔽(HFS)之间的一个或多个补偿电容器(Ck)，?所述补偿电容器(Ck)分别具有随着HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)变化而变化的电容。

【技术特征摘要】
2012.05.09 DE 102012207722.71.一种用于磁共振断层造影设备(101)的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有在高频天线(108)和HF屏蔽(HFS)之间的用于对距屏蔽变化的距离进行补偿的一个或多个补偿电容器(Ck)，所述补偿电容器(Ck)分别具有随着HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)变化而变化的电容，一个或多个补偿电容器(Ck)分别被构造为平板电容器，其平板(P1，P2)分别彼此具有距离(h)，所述距离能够分别通过梯度线圈(112)的延伸和/或通过HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的元件(Er，St)的距离(H1，H2，H3)的距离变化来变化。2.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，所述HF屏蔽(HFS)被布置和/或放置和/或固定在梯度线圈(112)上，并且在延伸梯度线圈(112)的情况下HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的距离(H1，H2，H3)也变化。3.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，所述全身线圈(102)具有多个补偿电容器(Ck)，所述补偿电容器分别具有在多个区域中随着从能够通过加热延伸的梯度线圈(112)至高频天线(108)的不同变化的距离(H1，H2，H3)而不同变化的电容。4.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，补偿电容器(Ck)的电容分别仅仅基于HF屏蔽(HFS)与高频天线(108)的元件(Er，St)的距离(H1，H2，H3)的距离变化而变化。5.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，这样构造补偿电容器(Ck)，使得在高频天线(108)的元件(Er，St)与HF屏蔽(HFS)的距离(H1，H2，H3)逐渐增大的情况下，补偿电容器(Ck)电容如此减小，使得完全或部分地补偿增大的电感。6.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，高频天线(108)的总谐振电容的仅一部分以补偿电容器(Ck)的形式构造。7.根据权利要求1所述的全身线圈(102)，其特征在于，一个或多个补偿电容器(Ck)分别具有在高频天线(108)的元件(Er，St)上安装的和/或连接的电容性平板(P1)，和/或在H...

【专利技术属性】
技术研发人员：L埃伯勒，J尼斯特勒，M维斯特，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：