存储控制设备、存储器系统、信息处理系统和存储控制方法技术方案
【技术实现步骤摘要】
存储控制设备、存储器系统、信息处理系统和存储控制方法
本技术涉及存储控制设备、存储器系统、信息处理系统和存储控制方法，并且更具体地涉及用于控制非易失性存储器的存储控制设备、存储器系统、信息处理系统和存储控制方法。
技术介绍
在最新的信息处理系统中，非易失性存储器（NVM）偶尔用作辅助存储设备或存储器。此非易失性存储器泛泛地归类为可以对大数据单位而存取的闪速存储器以及可以对小数据单位而快速且随机存取的非易失性随机存取存储器（NVRAM）。这里，闪速存储器的典型示例是NAND型闪速存储器。另一方面，ReRAM（电阻RAM）、PCRAM（相变RAM）和MRAM（磁阻RAM）是非易失性随机存取存储器的示例。在向这些非易失性存储器写入期间，由于无法恰当地写入数据而可能发生错误。例如，错误经常发生在其特性例如由于随着时间流逝恶化或者初始缺陷而已经恶化的存储单元中。通常，已经在写入期间显现出来错误的存储单元被认为是有缺陷单元并且从下次及以后写入要写入的目标单元中排除。因而，如果有缺陷单元的数量增加，则非易失性存储器的实际容量下降。因而，已经提出如下存储器件，其进行适配于如果数据...
【技术保护点】
一种存储控制设备，包括：第一重写部分，适配于进行第一重写以将两个二进制值中的另一个重写到在其中将所述两个二进制值中的一个写入的存储单元；第二重写部分，适配于进行第二重写以将所述两个二进制值中的一个写入到在其中将所述两个二进制值中的另一个写入的存储单元；以及第一重试控制部分，适配于使得如果在所述第一重写期间发生错误，则已经经历所述第一重写的所述存储单元再次经受所述第一重写紧随的所述第二重写。
【技术特征摘要】
2012.04.24 JP 2012-0983161.一种存储控制设备，包括：第一重写部分，适配于进行第一重写以将两个二进制值的另一个重写到在其中将所述两个二进制值的一个写入的存储单元；第二重写部分，适配于进行第二重写以将所述两个二进制值的一个写入到在其中将所述两个二进制值的另一个写入的存储单元；以及第一重试控制部分，适配于使得如果在所述第一重写以重写所述两个二进制值的所述另一个的期间发生错误，则已经经历所述第一重写的所述存储单元再次受控于紧随所述第一重写的所述第二重写以重写所述两个二进制值的所述一个。2.根据权利要求1的所述存储控制设备进一步包括：第二重试控制部分，适配于使得如果在所述第二重写期间发生错误，则已经经历所述第二重写的所述存储单元受控于紧随所述第二重写的所述第一重写以重写所述二进制值的所述另一个。3.根据权利要求2的所述存储控制设备，其中所述存储单元是如下的可变电阻元件：在其中，由给定边界阻值划分的两个阻态的一个与两个值的一个关联，而另一个阻态与所述两个值的另一个关联，所述第一重写部分参考由所述边界阻值设置为另一阻态的第一阻值，从所述存储单元读取数据，并且如果数据值不是所述两个值的另一个就确定已经发生错误，并且所述第二重写部分参考由所述边界阻值设置为两个阻态的一个的第二阻值，从所述存储单元读取数据，并且如果数据值不是所述两个值的一个就确定已经发生错误。4.根据权利要求3的所述存储控制设备进一步包括：缺陷单元确定部分，适配于基于在第一和第二重写部分的每一个中已经检测到的错误的次数，确定所述存储单元是否是缺陷的。5.根据权利要求3的所述存储控制设备，其中所述第一重写部分参考所述第一阻值从已经经历所述第二重写的存储单元读取第一数据，并且如果所述第一数据值是所述两个值的一个就进行所述第一重写，并且所述第二重写部分参考所述第二阻值从已经经历所述第一重写的存储单元读取第二数据，并且如果所述第二数据值是所述两个值的另一个就进行所述第二重写。6.根据权利要求3的所述存储控制设备，其中所述第一重写部分不仅参考所述第一阻值从已经经历所述第二重写的存储单元读取第一数据，还参考所述边界阻值阈值读取第三数据，且如果第一和第三数据值不同则进行所述第一重写，并且所述第二重写部分不仅参考所述第二阻值从已经经历所述第一重写的存储单元读取第二数据，还读取所述第三数据，且如果第二和第三数据值不同则进行所述第二重写。7.一种存储器系统，包括：存储控制设备；和第一命令发布部分，适配于如果第一错误发生就发布给定命令，所述存储控制设备具有第一重写部分，适配于...
【专利技术属性】
技术研发人员：中西健一，筒井敬一，藤波靖，足立直大，大久保英明，新桥龙男，石井健，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。