具备：第1导电类型的硅基板101，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层102；受光面侧电极105，具有与杂质扩散层102电连接并且在硅基板101的一面侧隔开一定的间隔并列配置的多根栅格电极；以及背面侧电极104，形成于硅基板101的另一面侧，杂质扩散层102具有以第1浓度包含杂质元素的第1杂质扩散层102a、和以比第1浓度低的第2浓度包含杂质元素的第2杂质扩散层102b，对于所述第1杂质扩散层102a，将在所述硅基板的一面侧与受光面侧电极105的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向，并且第1杂质扩散层102a相对带状区域的面积比率是50%以下，其中将第1杂质扩散层102a中的与栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度，并且所述带状区域的长度方向的长度与第1杂质扩散层102a的长度方向的长度相同。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：滨本哲，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：
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