一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件技术

一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件，复合反射电极设置有银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄膜；非晶透明氧化物薄膜为金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，非晶透明氧化物薄膜的厚度为5~15nm。复合反射电极的制备方法是采用物理气相沉积法沉积银薄膜和非晶透明氧化物薄膜作为保护层，再对所形成的复合薄膜采用磷酸基刻蚀液刻蚀进行图形化得到复合反射电极。该复合反射电极能够提高银薄膜的温度稳定性及空气存储稳定性。其制备工艺简单，易图形化。具有该复合电极的有机电致发光器件具有性能优良、制备工艺简单的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种复合反射电极、制备方法及具有该电极的有机电致发光器件。
技术介绍
顶发射型OLED（Top-emittingOrganicLightEmittingDevice，简称TOLED）是一种常见的有机电致发光器件结构，它的最大特点是光从器件的顶部射出。典型的顶发射型OLED，阳极设置于底部、采用不透明的金属材料，阴极位于顶部、采用透明的金属材料，有机电致发光层置于两电极之间。当发光层发出光之后，射向下方的光会被底部的反射电极反射并从上方射出。因此，顶发射型OLED非常适用于有源矩阵技术，它能够很好地配合非透明的晶体管背板，提高AMOLED的开口率。现有技术中，顶发射有机电致发光器件通常使用高反射率的金属薄膜作为底部反射电极。其中Ag薄膜具有高反射率、低电阻率的特点，是理想的反射电极材料。但是Ag薄膜很不稳定，容易受热以及空气中污染物的影响，导致反射率迅速恶化。因此在TOLED器件中无法实现实际使用。为了提高Ag薄膜的热稳定性和空气储存稳定性，也有采用Ag合金薄膜作为底部反射电极的方式，但Ag合金薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合反射电极，其特征在于：设置有作为下层金属的银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄膜；所述非晶透明氧化物薄膜为金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种元素或两种以上的元素的任意组合。

【技术特征摘要】
1.一种复合反射电极，其特征在于：通过如下步骤制备而成，采用硬质玻璃基板作为基板；采用PVD法沉积纯厚度为200nm的银薄膜作为底层金属，其中银薄膜的溅镀条件为：功率—1000w，Ar—30sccm，气压—0.5Pa；再在制备好的纯银薄膜上分别沉积厚度为6.1nm、7.6nm、12nm的氧化铟锌薄膜作为保护层，氧化铟锌薄膜中In、Zn原子比为1:1；接下来在制备好的复合薄膜上涂布瑞红304光刻胶，并利用曝光方法在复合薄膜上制作反射电极刻蚀掩膜图形；然后，使用63wt%的磷酸、1wt%的硝酸、33wt%的冰醋酸、其余成分为去离子水所配置的磷酸基混合酸，在25℃条件下刻蚀2分钟；最后剥离光刻胶，获得复合反射电极。2.一种复合反射电极，其特征在于：通过如下步骤制备而成，采用硬质玻璃基板作为基板；采用PVD法沉积纯厚度为300nm的银薄膜作为底层金属，银薄膜的溅镀条件为：功率—1000w，Ar—30sccm，气压—0.5Pa；再在制备好的纯银薄膜上分别沉积厚度为5.6nm、7.5nm、13nm的氧化铟硅锌薄膜作为保护层，氧化铟硅锌薄膜中...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，赵铭杰，邹建华，彭俊彪，王磊，陶洪，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：