【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种单片压敏电阻阀片内部的电流分布均匀性测试方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)对厚度为d、上下表面积各为A的ZnO压敏电阻阀片的上下表面进行抛光,使ZnO压敏电阻阀片上下表面的粗糙度小于1微米;(2)采用光刻方法,将掩膜版的外形结构转移到上述抛光过的ZnO压敏电阻阀片上下表面,并采用真空镀膜方法,在ZnO压敏电阻阀片的上下表面分别沉积厚度为90~110纳米的微型银电极阵列;(3)将上述ZnO压敏电阻阀片的上表面均分为n个单元,每个单元的面积为s,用微探针接触任意一个单元面积上的各银电极,使一块薄铅板与ZnO压敏电阻阀片的下表面贴合,向微探针和薄铅板施加连续变化的电压 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何金良,胡军,程晨璐,曾嵘,张波,余占清,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:
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