一种ZP3KD软磁铁氧体材料及其生产方法技术

本发明专利技术公开了一种ZP3KD软磁铁氧体材料及其生产方法，该材料配方组成与组成含量为：氧化铁：52.2～53.5mol%；氧化锰：35.0～35.9mol%；氧化锌：10.9～11.6mol%；氧化硅：20～60ppm；氧化钙：200～500ppm；氧化铌：200～400ppm；氧化钴：500～1000ppm；氧化钒：100～200ppm。本发明专利技术的ZP3KD软磁铁氧体材料，初始导磁率为2950左右，磁芯损耗100℃时在400KW/m3，都能满足顾客要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ZP3KD软磁铁氧体材料，其特征在于，配方组成与组成含量为：氧化铁：??52.2～53.5mol%；氧化锰：??35.0～35.9mol%；氧化锌：??10.9～11.6mol%；氧化硅：??20～60ppm；氧化钙：??200～500ppm；氧化铌：??200～400ppm；氧化钴：??500～1000ppm；氧化钒：??100～200ppm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李前军，沈建元，王晓祥，陆明兵，徐升宝，王步猛，陈维兆，蒲成刚，张恩明，王久如，屠德义，
申请(专利权)人：天长市中德电子有限公司，
类型：发明
国别省市：