【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
短路保护结构，其特征在于：包括第一晶体管、第二晶体管、控制电路、第一晶体管电流采样电阻和第二晶体管电流采样电阻，其中控制电路控制第一晶体管和第二晶体管的开关时间长度及占空比，第二晶体管采样第一晶体管的电流，所述第一晶体管的漏端连接第二晶体管的漏端，所述第一晶体管的源端接一采样电阻，所述第二晶体管的源端接另一采样电阻，所述第一晶体管的栅端连接第二晶体管的栅端并与控制电路的驱动级连接，所述第一晶体管和第二晶体管均为高压晶体管，第二晶体管的尺寸小于第一晶体管尺寸。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶平，李海松，庄华龙，易扬波，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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