加热装置及半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术是加热装置及半导体制造装置。在加热晶片的加热装置中，同时做到中冷型温度分布的实现和温度控制性的提高，还防止中空轴的下端的高温化。加热装置（10）包括陶瓷基体（20）、电阻发热体（22）、中空轴（40）。陶瓷基体（20）包括中央部（20a）和外周部（20b）。电阻发热体（22）按其在中央部（20a）处的发热密度为外周部（20b）处的发热密度的1.4～2.0倍来设计。中空轴（40）包括第1部位（41）和第2部位（42），第1部位（41）的厚度tb1为6～10mm，第2部位（42）的厚度tb2为第1部位（41）的厚度tb1的0.3～0.5倍。又，第1部位（41）的长度为中空轴（40）的全长的0.4～0.8倍。

【技术实现步骤摘要】
加热装置及半导体制造装置
本专利技术涉及一种加热装置及半导体制造装置。
技术介绍
对于半导体制造装置，在通过热CVD、等离子CVD等来由硅烷气等原料气体制造半导体薄膜的时候，采用用于加热晶片的加热装置。作为加热装置，已知一种包括具有晶片放置面的圆盘状的陶瓷基体、设在该陶瓷基体的内部或表面的电阻发热体、安装在该陶瓷基体中的晶片放置面的相反侧的面上的中空轴的装置。在这样的加热装置中，已知有各种用于使晶片放置面的温度均匀化的方法。例如，在将螺旋弹簧状的电阻发热体（缠绕体）埋设在陶瓷基体内的情况下，通过使缠绕体的圈数增多或使卷径变大，或使线径变小，能够使单位面积的晶片设置面的发热量增大。又，通过使缠绕体的圈数减少或使卷径变小，或使线径变大，能够降低每单位面积的晶片设置面的发热量（发热密度）。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】特开2003-272805号公报
技术实现思路
【专利技术要解决的技术问题】然而，若在CVD工序的开始后立即导入原料气体，陶瓷基体的中央部的温度有可能会上升，基于这一点，有时对温度分布进行设计，以使得陶瓷基体的中央部预先达到比外周部低的低温。将这样的温度分布称为中冷型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热装置，其包括：具有晶片放置面的圆盘状的陶瓷基体、设在该陶瓷基体的内部或表面的电阻发热体、安装在所述陶瓷基体中的所述晶片放置面的相反侧的面上的中空轴，其特征在于，所述陶瓷基体具有中央部和外周部，所述外周部为所述中央部外侧的环状区域，所述电阻发热体按其在所述中央部处的发热密度高于在所述外周部处的发热密度来设置，所述中空轴包括从所述陶瓷基体到规定的中间位置的第1部位、和从所述中间位置到轴末端的第2部位，所述第1部位的厚度为所述第2部位的厚度的2～3.3倍，所述第1部位的长度为所述轴的全长的0.4～0.8倍。

【技术特征摘要】
2012.03.21 JP 2012-0630541.一种加热装置，其包括：具有晶片放置面的圆盘状的陶瓷基体、设在该陶瓷基体的内部或表面的电阻发热体、安装在所述陶瓷基体中的所述晶片放置面的相反侧的面上的中空轴，其特征在于，所述陶瓷基体具有中央部和外周部，所述外周部为所述中央部外侧的环状区域，所述电阻发热体按其在所述中央部处的发热密度高于在所述外周部处的发热密度来设置，所述中空轴包括从所述陶瓷基体到规定的中间位置的第1部位、和从所述中间位置到中空轴末端的第2部位，所述第1部位的厚度为所述第2部位的厚度的2～3.3倍，所述第1部位的长度为所述中空轴的全长的0.4～0.8倍。2.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，包括：热电偶，其为了控制所述陶瓷基体的温度，测定所述陶瓷基体的中央部的温度。3.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述电阻发热体按其在所述中央部处的发热密度为在所述外周部处的发热密度的1.4...

【专利技术属性】
技术研发人员：海野丰，和气隼也，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：