一种霍山石斛扦插成苗的方法技术

技术编号:9188400 阅读:298 留言:0更新日期:2013-09-25 12:30
本发明专利技术公开了一种霍山石斛扦插成苗的方法,扦插时间大约在4-5月份,选取品质优良、生长健壮的霍山石斛,不宜用已开花的,剪取石斛的茎时向上应保留2—3个芽节平截,切口要平滑;剪取后石斛的茎用400-600倍液多菌灵进行消毒,浸泡10-15分钟插入基质苗床中,插茎周边围上草粉并用黄土镇压;插入时注意生长方向上下不可颠倒;所述的多菌灵液中含有80-120PPm的亚硒酸钠;本发明专利技术的方法,模似野外生长的土壤环境,同时,增加了土壤的营养元素,有利于石斛生长与抗性提高,霍山石斛扦插成苗达到95%,成活率大大提高,从而降低种苗生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种霍山石斛扦插成苗的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)、扦插时间大约在4?5月份,选取品质优良、生长健壮的霍山石斛,不宜用已开花的,剪取石斛的茎时向上应保留2—3个芽节平截,切口要平滑;(2)、剪取后石斛的茎用400?600倍液多菌灵进行消毒,浸泡10?15分钟插入基质苗床中,插茎周边围上草粉并用黄土镇压;插入时注意生长方向上下不可颠倒;所述的多菌灵液中含有80?120PPm的亚硒酸钠;所述的基质苗床,采用以下构造:选择疏松通气的良好地块,地面上首先铺设稻草3?5厘米厚,稻草上铺一层3?5厘米厚的缓冲层,所述的缓冲层上再铺设10?12厘米的基质层;所述的缓冲层由下列重量份原料混合而成:蚕砂2?4、食用菌栽培废料6?8、河砂1?2、红糖1?2、风化煤2?3;所述的基质层由下列重量份的原料制成,制备步骤为:S1:称取下列重量份的原料:干牛粪便200?300、稻草粉140?180、花生壳40?50、统糠20?30、水果渣60?70、铁矿渣15?20、生石灰1?2、冬青油1?2、纳米碳0.3?0.5、凹凸棒土30?40、砖渣80?90、硼砂1?2、亚硒酸钠0.2?0.3;S2:将上述原料混合均匀,掺入适量水,接种EM菌发酵剂,堆积发酵12?15天,消毒、得到,(3)、石斛插穗大约在21℃~25℃之间的温度下最容易生根,等到生根发芽后就可移栽。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谢升旺
申请(专利权)人:安徽中升生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1