纳米半导电无纺布制造技术

本实用新型专利技术涉及一种纳米半导电无纺布。本实用新型专利技术产品运用碳纤维新材料、高强度细纱辅网新工艺、纳米技术、发泡涤层技术、真空烘干等先进技术制成。具有半导电性能优、抗张强度大，表面电阻，体积电阻小，高温下不褪色，表面“C”黑不脱落，高效节能，制作过程环境友好，主要用于高压6kV及以上矿用电缆、高压6kV及以上船用电缆、大截面10kV以上电力电缆的缆芯绝缘层及铜导体表面绕包，起抗强电场、半屏蔽，防静电等作用，也可运用于开发室内防静电、医用及孕妇防辐射衣服的防辐射屏蔽层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
纳米半导电无纺布，其特征在于，包括由导电碳纤维短纤交织而成的纤维网；纤维网纵向平行设置加强碳纤维涤纶纱；纤维网表面凃设导电液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张云，张玉梅，杨正龙，周敏玉，
申请(专利权)人：扬州腾飞电缆电器材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：