图像形成设备和处理盒制造技术

本发明专利技术提供了图像形成设备和处理盒，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体、底涂层和感光层；充电装置，所述充电装置以接触充电的方式对电子照相感光体的表面充电，其中仅施加直流(DC)电压；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将经充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将色调剂图像由电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过转印装置将色调剂图像转印至转印介质上之后且在通过充电装置对电子照相感光体的表面充电之前对电子照相感光体的表面进行擦除。

【技术实现步骤摘要】
图像形成设备和处理盒
本专利技术涉及图像形成设备和处理盒。
技术介绍
电子照相方式的图像形成近来已经广泛用于如复印机和激光打印机等图像形成设备。JP-A-2001-312075(专利文献1)公开了“一种不具有擦除系统的图像形成设备，所述图像形成设备使用单层电子照相感光体，其中感光层形成在导电性基体上，所述感光层含有在粘合剂树脂中的作为电荷生成剂的酞菁类化合物、空穴输送剂和电子输送剂，相对于粘合剂树脂的重量，所述酞菁类化合物的含量为0.1重量%～4重量%，感光层的膜厚度为10μm～35μm，并且在曝光波长为780nm且曝光能量为1.0μm/cm2时测量的对于正极性的感度与对于负极性的感度之差的绝对值等于或小于500V”。JP-A-2008-281723(专利文献2)公开了“一种其中不具有擦除单元的非擦除型图像形成设备，所述图像形成设备包括电子照相感光体，所述电子照相感光体具有位于基体上的至少含有电荷生成剂、空穴输送剂和粘合剂树脂的感光层，其中空穴输送剂含有由特定结构表示的胺化合物”。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种图像形成设备，利用所述图像形成设备，可以抑制因电子照相感光体的曝光部分与未曝光部分之间的表面电位差而引起的浓度不均匀。上述目的通过本专利技术的以下方面而实现。根据本专利技术的第一方面，提供一种图像形成设备，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体、设置在所述导电性支持体上的底涂层和设置在所述底涂层上的感光层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流(AC)阻抗法测得为3.5×108Ωm～1.0×109Ωm的体积电阻率；充电装置，所述充电装置以接触充电的方式对电子照相感光体的表面充电，其中仅施加直流(DC)电压；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置使经充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将色调剂图像由电子照相感光体直接转印至转印介质；并且所述图像形成设备不包括用于在通过转印装置将色调剂图像转印至转印介质上之后和在通过充电装置对电子照相感光体的表面充电之前对电子照相感光体的表面进行擦除的擦除装置。根据本专利技术的第二方面，在根据第一方面的图像形成设备中，所述电子接受性化合物的含量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒可以为2重量份～4重量份。根据本专利技术的第三方面，在根据第一方面的图像形成设备中，所述电子接受性化合物可以是由下式(1)表示的电子接受性化合物：式(1)其中，R1和R2各自独立地表示羟基、甲基、甲氧基甲基、苯基或氨基，并且m和n各自独立地表示0～4的整数。根据本专利技术的第四方面，在根据第三方面的图像形成设备中，在由式(1)表示的电子接受性化合物中，R1可以为羟基，m可以为1～3，并且n可以为0。根据本专利技术的第五方面，在根据第一方面的图像形成设备中，所述电子接受性化合物可以为具有羟基蒽醌结构的电子接受性化合物。根据本专利技术的第六方面，在根据第一方面的图像形成设备中，所述金属氧化物颗粒可以经过硅烷偶联剂进行的表面处理。根据本专利技术的第七方面，在根据第一方面的图像形成设备中，所述金属氧化物颗粒可以经过具有氨基的硅烷偶联剂进行的表面处理。根据本专利技术的第八方面，在根据第一方面的图像形成设备中，100重量份金属氧化物颗粒的表面上所附着的所述表面处理剂的量可以为0.5重量份～3重量份。根据本专利技术的第九方面，在根据第一方面的图像形成设备中，通过交流(AC)阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率可以为4.0×108Ωm～9.5×108Ωm。根据本专利技术的第十方面，在根据第一方面的图像形成设备中，通过交流(AC)阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率可以为4.5×108Ωm～9.0×108Ωm。根据本专利技术的第十一方面，提供一种处理盒，所述处理盒至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体、设置在所述导电性支持体上的底涂层和设置在所述底涂层上的感光层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流(AC)阻抗法测得为3.5×108Ωm～1.0×109Ωm的体积电阻率；和充电装置，所述充电装置以接触充电的方式对电子照相感光体的表面充电，其中仅施加直流(DC)电压；并且所述处理盒不包括用于在通过转印装置将形成于电子照相感光体的表面上的色调剂图像转印至转印介质上之后和在通过充电装置对电子照相感光体的表面充电之前对电子照相感光体的表面进行擦除的擦除装置；并且所述处理盒可与图像形成设备分离。根据本专利技术的第十二方面，在根据第十一方面的处理盒中，所述电子接受性化合物的含量相对于100重量份金属氧化物颗粒可以为2重量份～4重量份。根据本专利技术的第十三方面，在根据第十一方面的处理盒中，所述电子接受性化合物可以是由下式(1)表示的电子接受性化合物：式(1)其中，R1和R2各自独立地表示羟基、甲基、甲氧基甲基、苯基或氨基，并且m和n各自独立地表示0～4的整数。根据本专利技术的第十四方面，在根据第十三方面的处理盒中，在由式(1)表示的电子接受性化合物中，R1可以为羟基，m可以为1～3，并且n可以为0。根据本专利技术的第十五方面，在根据第十一方面的处理盒中，所述电子接受性化合物可以是具有羟基蒽醌结构的电子接受性化合物。根据本专利技术的第十六方面，在根据第十一方面的处理盒中，所述金属氧化物颗粒可以经过硅烷偶联剂进行的表面处理。根据本专利技术的第十七方面，在根据第十一方面的处理盒中，所述金属氧化物颗粒可以经过具有氨基的硅烷偶联剂进行的表面处理。根据本专利技术的第十八方面，在根据第十一方面的处理盒中，100重量份金属氧化物颗粒的表面上所附着的所述表面处理剂的量可以为0.5重量份～3重量份。根据本专利技术的第十九方面，在根据第十一方面的处理盒中，通过交流(AC)阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率可以为4.0×108Ωm～9.5×108Ωm。根据本专利技术的第二十方面，在根据第十一方面的处理盒中，通过交流(AC)阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率可以为4.5×108Ωm～9.0×108Ωm。根据本专利技术的第一至第四方面和第六至第十方面，可以提供一种图像形成设备，所述图像形成设备包括其中仅施加直流电压的接触充电方式的充电装置，和将色调剂图像由电子照相感光体直接转印至转印介质的直接转印方式的转印装置，并且所述图像形成设备不包括擦除装置，与电子照相感光体的底涂层不包含特定范围内的金属氧化物颗粒和特定电子接受性化合物或者体积电阻率不在特定范围内的情形相比，所述图像形成设备抑制了因电子照相感光体的曝光部分与未曝光部分之间的表面电位差而引起的浓度不均匀。根据本专利技术的第五方面，可以提供图像形成设备，与在电子照相感光体底涂层中所包含的电子接受性化合物不是具有羟基蒽醌结构的电子接受性化合物的情形相比，所述图像形成设备抑制了因电子照相感光体的曝光部分与未曝光部分之间的表面电位差而引起的浓度不均匀。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像形成设备，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体，设置在所述导电性支持体上的底涂层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流阻抗法测定为3.5×108Ωm～1.0×109Ωm的体积电阻率，和设置在所述底涂层上的感光层；充电装置，所述充电装置以仅施加直流电压的接触充电的方式对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将所充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将所述色调剂图像从所述电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过所述转印装置将所述色调剂图像转印到所述转印介质上之后和在通过所述充电装置对所述电子照相感光体的表面充电之前对所述电子照相感光体的表面进行擦除。

【技术特征摘要】
2012.03.07 JP 2012-0506221.一种图像形成设备，所述图像形成设备至少包括：电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有导电性支持体，设置在所述导电性支持体上的底涂层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流阻抗法测定为3.5×108Ωm～1.0×109Ωm的体积电阻率，和设置在所述底涂层上的感光层；充电装置，所述充电装置以仅施加直流电压的接触充电的方式对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将所充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；显影装置，所述显影装置通过显影剂使所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和转印装置，所述转印装置将所述色调剂图像从所述电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过所述转印装置将所述色调剂图像转印到所述转印介质上之后和在通过所述充电装置对所述电子照相感光体的表面充电之前对所述电子照相感光体的表面进行擦除。2.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物的含量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为2重量份～4重量份。3.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物为由下式(1)表示的电子接受性化合物：其中，R1和R2各自独立地表示羟基、甲基、甲氧基甲基、苯基或氨基，并且m和n各自独立地表示0～4的整数。4.如权利要求3所述的图像形成设备，其中，在由式(1)表示的电子接受性化合物中，R1为羟基，m为1～3，并且n为0。5.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物为具有羟基蒽醌结构的电子接受性化合物。6.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒经过硅烷偶联剂进行的表面处理。7.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒经过具有氨基的硅烷偶联剂进行的表面处理。8.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，100重量份所述金属氧化物颗粒的表面上所附着的表面处理剂的量为0.5重量份～3重量份。9.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，通过交流阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率为4.0×10...

【专利技术属性】
技术研发人员：井手健太，成田幸介，中村博史，小关一浩，川崎晃弘，桥场成人，铃木贵弘，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：