基于石墨烯和碳纳米管的辐射加固晶体管制造技术

提供一种基于石墨烯和/或碳纳米管的抗辐射晶体管器件及其制造技术。在一个方面中，提供一种制造抗辐射晶体管的方法。该方法包括以下步骤。提供抗辐射衬底。在衬底上形成基于碳的材料，其中基于碳的材料的一部分用作晶体管的沟道区域且基于碳的材料的其他部分用作晶体管的源极和漏极区域。形成到基于碳的材料的用作晶体管的源极和漏极区域的部分的接触。在基于碳的材料的用作晶体管的沟道区域的部分之上沉积栅极电介质。在栅极电介质上形成顶栅极接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佑民，姚正邦，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：