本发明专利技术提供一种鄂西红豆树离体胚培养及植株再生的关键技术，属于红豆树种子资源的保存和大量繁殖的技术。解决现有技术中红豆树种子来源困难，种子易遭鼠食;种子坚硬，种皮干燥后不容易吸收水分，种皮透水性差，自然繁衍能力、传播扩散能力不强，结实年龄迟，自然更新困难且需要间隔3~5年开花结果，优良种苗稀缺的问题。本发明专利技术选取当年结实籽粒饱满的种子为材料，经过胚诱导培养20~35天即可萌发出生长健壮的胚芽植株，再经过25~45天的增殖培养和20~30天壮苗培养；以及25~35天生根的培养即可成苗、移栽，成活率达95%以上，扩繁系数较高，增殖时间短，成苗移植后成活率高，苗木健壮挺拔，叶片亮绿，长势良好，整齐一致。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种鄂西红豆树离体胚培养及植株再生的关键技术，其特征是：1)取材方法：选取当年结实的籽粒饱满的鄂西红豆树红豆树种子为材料，采摘后用湿布包好，带回实验室后用洗涤剂漂洗干净，再置于流水中冲滴。2)培养基的配制：按以下配方配制各个培养基：胚芽诱导培养基：WPM+BA(1.0mg·L?1)+KT?(0.5mg·L?1)+NAA?(0.1mg·L?1)+琼脂?(6.0g·L?1)?+Su?(20g·L?1)+活性炭?(1.0～1.5?g·L?1)；芽增殖培养基：WPM+BA(1.5mg·L?1)?+KT?(1.0mg·L?1)?+TDZ(0.2mg·L?1)+NAA?(0.3mg·L?1)?+?琼脂?(6.0g·L?1)?+Su?(20g·L?1)?+活性炭?(1.0～1.5?g·L?1)；壮苗培养培养基：WPM+BA(1.5mg·L?1)?+KT?(1.0mg·L?1)?+TDZ(0.2mg·L?1)+NAA?(0.5mg·L?1)?+?琼脂?(6.0g·L?1)?+Su?(30g·L?1)?+活性炭?(1.5～2.0?g·L?1)；????生根培养基：1/2?WPM?+?NAA?(0.3mg·L?1)?+IBA?(1.0mg·L?1)?+?琼脂?(6.0g·L?1)?+Su?(30g·L?1)?+活性炭?(1.5～2.0g·L?1)；?????培养基厚度均为1.4~1.6cm；3)?材料的消毒处理：先对种子材料用机械力去除坚硬的种子生长点外壳的1/3部分，用自来水冲洗，置饱和漂白粉上清液中浸泡，并用轻轻刷洗种子外壳，浸泡刷洗干净后，在自来水下滴冲0.5?1h后，再双蒸水冲洗，之后置超净工作台用75%的酒精消毒30s后倒去酒精，加入0.1%wt升汞溶液浸泡13~15min后倒去升汞溶液，用无菌水冲4～6遍，用消毒滤纸吸干种子材料表面水分；4)?胚芽诱导培养：取步骤3)处理后的种子材料接种于经灭菌的胚芽诱导培养基中；胚芽诱导的培养条件：温度为25±2℃，前10~15天暗培养，16天以后光强度为1000～1500lx，光照时间12h/d，胚芽诱导时间：暗培养10~15天后，再培养10~20天；5)?增殖培养：将经步骤4)胚芽诱导培养所得到的生长良好的芽切成1~2cm长的带液芽茎段，接种在增殖培养基中进行增殖培养；所述增殖培养的条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度为1500～2000lx，增殖培养时间25~45天；6）壮苗培养：将经增殖培养所得到的生长良好的完整植株单株切下，带有1～2片叶子，株高1～1.5cm，转移到壮苗培养基中；所述壮苗培养的培养条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度：光照强度为1500～2000lx，壮苗培养时间20~30天；?7）诱导生根：将壮苗培养出来的幼苗单株，带有2～3片叶子，株高1～2cm，转移到生根培养基中；所述生根培养的培养条件：培养室温度为25±2℃，光照时间12h/d，光照强度：光照强度为1500～2000lx，生根培养时间25~35天；8）试管苗完成：当诱导生根培养出的试管苗生长至3~4cm高，有3~5条根，3~6片叶片，叶长2～3cm时，完成红豆树离体胚培养及植株再生的试管苗培养；????9)?瓶苗移栽：将步骤8）完成的试管苗放在自然光下炼苗3～5天，再打开瓶盖进行炼苗2天；然后从培养瓶中取出，洗去附着在根系的培养基，移入蛭石和腐殖土以质量比1：2混合的基质中，放置在温度15～30℃，湿度在75％～85％，避免阳光直射的环境下培养，获得的红豆树种苗。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何碧珠，彭彪，林蔚，彭东辉，何官榕，阮宜焕，阮宜瑶，
申请(专利权)人：何碧珠，
类型：发明
国别省市：
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