石斛大棚人工栽培方法技术

本发明专利技术涉及中草药种植技术领域，具体涉及一种石斛大棚人工栽培方法。其特征在于该方法通过选择栽培设施、准备苗床、基质，进行定植栽培，后对植株的温度、湿度、水份、肥料进行控制，进而实现石斛大棚人工栽培，从而满足石斛药用市场的需要。本发明专利技术的有益效果在于通过大棚栽培来实现石斛野生状态生产条件，从而提高石斛的产量，增加药农的种植效益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
石斛大棚人工栽培方法，其特征在于包含下述步骤：(1)、栽培前的准备工作温室构建择钢构骨架，温室长30m、宽6m，肩高1.8m，总高4m左右；种植苗床之间要预留宽1m左右的道路，苗床宽1.2m.架空高度40Cm，栽培床底部采用钢丝网铺设，基质倒于栽培床上，厚度为7～15cm；基质由石灰岩碎石滤水层5cm+锯末8cm+活苔藓2cm为基质；(2)、定植栽培方法组培苗根长在0.5～1.0cm时将石斛组培苗放在室内炼苗20～25天后，用清水洗净组培苗根上的培养基，用0.1％的百菌清液消毒，按15cm×20cm的株行距种植，石斛为丛生植物，以3株1丛种植更适宜；移栽时间、选择在4～5月，移栽时可在基质上挖深2～3cm的小洞，炼苗、出瓶洗净后将组培苗根部放人小洞后用基质盖好；(3)、温室条件管理①光照控制石斛生长的最适光照强度为5000～10000lux；②温、湿度控制大棚内温度白天保持在25～30℃，夜晚15?20℃，低温不要低于8℃，高温不要高于35℃。湿度控制在60％～80％；③水分控制在刚定植完的1个星期内，保持基质处于湿润状态，但不积水。在新根萌动后，以间干间湿的原则进行浇水，一次浇足后，待基质表层发白后再浇；④肥料控制石斛气生根的营养主要靠根系的兰菌固定空气中的游离氮，在新根萌动后喷施液体肥，如磷酸二氢钾液，或磷酸二氢钾加尿素液等，浓度均为0.1％左右，10天左右喷施1次，新根已长出10cm左右时，施加缓效颗粒肥，叶面肥常量元素为N∶P205∶K20＝25∶13∶13，其N、P、K总含量为51％，微量元素B、Fe、Zn、Cu、Mn、Mo总含量为1％；⑤植物生长调节剂，施用外源生长素GA、6?BA，在低浓度条件下，随着ABA(脱落酸)浓度的增加，原球茎的增殖速度加快，当ABA浓度为0.5mg/L时增殖最大。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马雄英，
申请(专利权)人：马雄英，
类型：发明
国别省市：