一种微调IG腔的接触电极组件制造技术

技术编号:9130417 阅读:110 留言:0更新日期:2013-09-06 00:26
本实用新型专利技术涉及一种微调IG腔的接触电极组件,包括上基板、下基板及电极柱,上基板朝向下基板的底面上设置有IG腔插头,下基板上设置有供电极柱放置的安放孔,电极柱放置与该安放孔内,电极柱的上端介于上基板与下基板之间,安放孔的边沿上设置有固定电极柱的环形扣,电极柱的上端的端面直径朝向电极柱的下端逐渐减小,电极柱的端面上设置有通孔,IG腔插头设置为与通孔相适配的尖头,尖头与通孔对应设置;本实用新型专利技术在于:防止压塌电极柱及破坏环形扣的弹性,增加了IG腔插头与电极柱的接触性,减少电阻降低热量,提高IG腔功率与性能,IG腔功率与性能稳定,微调工作时频率变化可控,一致性、稳定性均得到提升减少了微调电阻大的不良比率,产品品质得到提升。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微调IG腔的接触电极组件,包括上基板、下基板及电极柱,上基板朝向下基板的底面上设置有IG腔插头,下基板上设置有供电极柱放置的安放孔,电极柱放置于该安放孔内,该电极柱的上端介于上基板与下基板之间,该安放孔的边沿上设置有固定电极柱的环形扣,其特征在于:所述的电极柱的上端的端面直径朝向电极柱的下端逐渐减小。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汤海燕
申请(专利权)人:汇隆电子金华有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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