【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种防浪涌直流保护电路，特别涉及一种更宽电压输入的适用于雷击浪涌等级的防浪涌直流保护电路。
技术介绍
目前各种工业设备应用的DC-DC电源在其工作的环境中很容易受到不同程度的瞬间浪涌信号的冲击。这一浪涌冲击不仅仅源于其系统本身，更多的是由于电网传输带来的浪涌冲击。当电源供电传输线受到雷击闪电的冲击，传输线就会将感应到的雷击浪涌信号输入到电源设备。浪涌冲击可导致电源产品内部半导体器件损伤、电源短时掉电等现象，也会造成电源负载的通信设备通信中断、CPU复位，时间稍长的浪涌信号可能直接损坏电源设备，导致依赖电源供电的工业设备瘫痪。为此现在某些工业应用中提出了 DC-DC电源需要满足电磁兼容浪涌(冲击)抗扰度试验的要求。但是DC-DC电源多为低压输入，为减小体积和成本，其内部功率管器件的耐压值不可能做到很高。同时高耐压值的功率半导体器件其导通内阻也比较大，影响电源整机的效率。所以需要设计专门的浪涌保护电路来保证DC-DC电源通过浪涌(冲击)抗扰度的实验，关于需要通过的浪涌测试的等级要求，应该根据具体的应用实际情况进行选择。现有技术中比较常用的抗雷击浪涌保护电路...
【技术保护点】
一种防浪涌直流保护电路，包括用于对浪涌信号进行抑制和泄放的第一级防护电路、用于对浪涌信号进行延时和平滑的第二级防护电路和第三级防护电路，其特征在于所述的第三级防护电路包括瞬变抑制二极管、功率MOS管、限流电阻、第一二极管、第二二极管和驱动电路；功率MOS管的漏极连接第二级防护电路的一输出端，功率MOS管的源极依次通过正向串接的第一二极管、第二二极管、限流电阻连接功率MOS管的栅极，瞬变抑制二极管的阴极连接第二二极管和限流电阻的连接点，瞬变抑制二极管的阳极接第二级防护电路另一输出端，驱动电路连接于第一二极管和第二二极管的连接点与功率MOS管的漏极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马海军，汪礼，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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