双集电极单行载流子光电二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种单行载流子UTC光电二极管，其包括经p型掺杂材料的吸收区域(22)。所述光电二极管进一步包括第一集电极层(23)及第二集电极层(24)，其中所述吸收区域(22)位于所述第一集电极层(23)与所述第二集电极层(24)之间，且由p型材料制成的接触层(21)位于所述吸收区域(22)内。通过此双集电极UTC结构，改善响应度带宽折衷，这是因为由作为所述吸收区域(22)中的光吸收的结果而产生的电子(n1、n2)的移动所导致的电流被朝向两个单独集电极(23、24)引导。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫汉德·阿克奥奇，穆拉德·什提维，
申请(专利权)人：阿尔卡特朗讯，
类型：
国别省市：