单片三端子光电检测器制造技术

一种光电检测器，用于在超低电压下实现光生载流子的倍增。实施例包括结合第二p-i-n半导体结的第一p-i-n半导体结，以形成具有至少三个端子的单片光电检测器。两个p-i-n结构可以共享p型区域或n型区域，作为5第一端子。与共享的端子互补掺杂的两个p-i-n结构的区域形成第二和第三端子，使得第一和第二p-i-n结构可并联地操作。第一p-i-n结构的倍增区域用于：在共享的10第一端子与第二和第三端子中的每一个之间的电压降是非累积的情况下，使第二p-i-n结构的吸收区域内光生成的电荷载流子倍增。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：YC·N·那，Y·康，I·赵，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：