【技术实现步骤摘要】
本专利技术是当今微电子加工领域的技术瓶颈，主要应用于大规模和超大规模集成电路的光刻工艺。
技术介绍
当今美国的光刻工艺水平最高，INTEL.AMD芯片光刻工艺具代表性，日本在此领域也有相当水平，如能制作高精度CCD芯片。说明内容美日在微电子领域遥遥领先于中国，在光刻技术上对中国采用严格的技术封锁，本专利技术彻底打破了美日在微电子光刻技术的技术垄断。本专利技术在下文中着重光刻技术上微小光斑的制作形成，然后在具体实施方式中简要介绍计算机CPU芯片和摄像机CCD芯片的光刻工艺。光刻技术上nm级微小光斑的制作形成极为重要，要制作nm级微小光斑,必须制作特殊的光纤(后文称之为自聚焦光纤)，自聚焦光纤制作之先要制作特殊的光纤预制棒，这种光纤预制棒的折射率分布如附图1，光纤预制棒芯部中心点的折射率明显低于芯部边缘，从预制棒芯部中心点到芯部边缘折射率曲线变化(一般是上升)，一定要保证制棒芯部中心区域对应的折射率曲线在整体折射率曲线上是一个明显的凹陷，目前国际上应用的MCVD、PCVD、VAD等光纤预制棒的制作工艺均能制作出这种光纤预制棒。由这种光纤预制棒拉制出的 光纤就是自聚焦...
【技术保护点】
一种自聚焦透镜，其特征在于：由光纤预制棒拉制而成，芯部中心折射率低于芯部边缘折射率，从芯部中心到芯部边缘折射率曲线变化如附图2。
【技术特征摘要】
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