用于机电元件的软磁金属带制造技术

本发明专利技术涉及一种用于机电元件的软磁金属带，其中，该软磁金属带具有纳米晶结构或非晶结构。该金属带的带厚与粗糙度之比d/Ra为5≤d/Ra≤25。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于机电元件的软磁金属带本专利技术涉及用于机电元件尤其是交流故障电流保护开关的软磁金属带。在US5,922,143中公开了由软磁性合金制造交流故障电流保护开关用磁芯的方法。利用快速凝固技术制造由铁基合金构成的非晶带，非晶带被卷绕成磁芯并且随后被热处理以产生纳米晶组织。磁芯不太受机械应力的影响，因而可靠地获得所期望的磁导率。然而，还是需要进行进一步的改善。本申请的目的是提供一种可重现制造的用于机电元件的软磁金属带，它尤其适合用在50Hz下，如交流故障电流保护开关。在本申请的一个实施方式中，提供了一种用于机电元件的软磁金属带。软磁金属带具有纳米晶结构或非晶结构并且其带厚与粗糙度之比d/Ra介于5≤d/Ra≤25，其中，Ra是平均粗糙度值。软磁金属带的磁化性能与带厚d和粗糙度Ra有关。5≤d/Ra≤25的带厚与粗糙度之比d/Ra容许在交流电应用中实现磁导性的改善及可靠地产生得到改善的磁导性。该比例中的粗糙度Ra是软磁金属带的底面的测量粗糙度，该底面是在熔体凝固时位于压延辊上的软磁金属带侧面。该软磁金属带的优点是能够实现响应时间短的机电元件例如故障电流保护开关或具有环带芯的转速传感器，其在几十本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.23 DE 102010060740.11.一种软磁金属带，其中，所述软磁金属带具有纳米晶结构或非晶结构，该金属带的带厚与粗糙度之比d/Ra为5≤d/Ra≤25，其中，Br/Bm>80％，其中，所述带厚介于5μm<d≤20μm，其中，粗糙度Ra介于0.6μm<d<2.5μm。2.根据权利要求1所述的金属带，其中，d/Ra介于10≤d/Ra≤20。3.根据权利要求1所述的金属带，其中，所述金属带在超过73原子％的铁中含有合金成分硅、硼、铌和铜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属带，其中，所述金属带具有合金Fe75.5Cu1Nb3Si12.5B8。5.根据权利要求1至3中任一项所述的金属带，其中，所述金属带具有合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9。6.根据权利要求1至3中任一项所述的金属带，其中，粗糙度Ra介于1μm<d<2μm。7.根据权利要求1至3中任一项所述的金属带，其中，所述金属带具...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉泽尔赫·赫策，
申请(专利权)人：真空融化股份有限公司，
类型：
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