光电转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明专利技术的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有1-1I1-VI族化合物半导体的光电转换装置。
技术介绍
作为用于太阳光发电等的光电转换装置而言，有利用被称为CIS、CIGS等的黄铜矿(Chalcopyrite)系的1-1I1-VI族化合物半导体而形成光吸收层的光电转换装置。这样的光电转换装置例如在日本特开平8-330614号公报(以下称为专利文献I)中被公开。1-1I1-VI族化合物半导体的光吸收系数高，适于光电转换装置的薄型化、大面积化以及抑制制造成本，因而推进了使用1-1I1-VI族化合物半导体的下一代太阳能电池的研究开发。 这样的含有1-1I1-VI族化合物半导体的光电转换装置具有平面地并列设置多个光电转换元件的构成。各光电转换元件通过在玻璃等基板上依次层叠金属电极等下部电极、含有光吸收层或缓冲层等的半导体层、和透明电极或金属电极等上部电极而构成。另夕卜，通过使相邻的一方光电转换元件的上部电极与另一方光电转换元件的下部电极利用连接导体来电连接，从而使多个光电转换元件实现串联的电连接。
技术实现思路
含有1-1I1-VI族化合物半导体的光电转换装置常常需要提高光电转换效率。因此，本专利技术的目的在于提高光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保新太郎，菊池通真，浅尾英章，牛尾绅之介，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：