太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
现在批量生产的太阳能电池中，在硅基板的受光面形成有η电极、在背面形成有P电极的两面电极型的太阳能电池占据多数。但是，在两面电极型的太阳能电池中，在受光面中形成的η电极正下面的硅基板上没有太阳光入射，因而在该部分没有电流产生。于是，提出了在太阳能电池的受光面不形成电极、在与受光面相反侧的背面形成有η电极和P电极二者的背面电极型太阳能电池。在该背面电极型太阳能电池中，太阳光的入射不会被形成在受光面的电极阻碍，因而原理上能期待高的转换效率。作为背面电极型，已知例如以下的制造方法(例如，参照美国专利第4927770号说明书)。首先，在硅基板的受光面和背面的整面形成作为掩模的扩散控制掩模。在此，扩散控制掩模具有抑制杂质扩散到硅基板内的功能。接着，除去硅基板背面的扩散控制掩模的一部分而形成开口部。然后，使P型杂质从扩散控制掩模的开口部扩散到硅基板的背面，则仅在开口部形成P型杂质扩散层。接着，在硅基板背面的扩散控制掩模全部除去后，再次在硅基板背面形成扩散控制掩模。然后，除去硅基板背面的扩散控制掩模的一部分，使η型杂质从开口部扩散到硅基板的背面，形成η型杂质层。接下来，将硅基板背面的扩散控制掩模全部除去，由此在背面形成P型杂质扩散层和η型杂质扩散层。进一步通过形成纹理结构、防反射膜、钝化膜、电极等而完成背面电极型太阳能电池。另外，公开了采用含有η型杂质的扩散剂和含有P型杂质的扩散剂来制造背面电极型太阳能电池的方法(例如，参照日本特开2009-76546号公报)。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，在美国专利第4927770号说明书中记载的制造方法中，为了在背面形成P型杂质扩散层和η型杂质扩散层，需要反复进行扩散控制掩模的形成、开口部形成、杂质扩散、扩散控制掩模除去的各工序这样的烦杂工序。另外，在日本特开2009-76546号公报中记载的制造方法中，将保护层设置的工序和除去的工序是必须的，而根据扩散时的热处理条件，有时扩散层形成到不需要的地方。本专利技术是鉴于以上以往的问题点而完成的，课题在于提供在背面电极型太阳能电池的制造工序中，能以简便的工艺在同一面上形成彼此不同的2种杂质扩散层的。用于解决技术问题的手段本专利技术包含以下形式。<1> 一种，其包含以下工序:对半导体基板一个面上的第I区域给予含有包含η型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成η型扩散层的组合物的工序，对位于上述半导体基板的设有上述第I区域的面上且为上述第I区域以外的第2区域给予含有包含P型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成P型扩散层的组合物的工序，对给予了上述用于形成η型扩散层的组合物和用于形成P型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成η型扩散层和P型扩散层的热扩散工序，和在上述形成了 η型扩散层的第I区域和形成了 P型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。<2> 一种，其包含以下工序:对半导体基板一个面上的第I区域给予含有包含η型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成η型扩散层的组合物的工序，对位于上述半导体基板的设有上述第I区域的面上且为上述第I区域以外的第2区域给予含有包含P型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成P型扩散层的组合物的工序，对给予了上述用于形成η型扩散层的组合物和用于形成P型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成η型扩散层和P型扩散层的热扩散工序，在上述热扩散工序之前，在位于上述半导体基板的设有上述第I区域和第2区域的面上且为选自上述第I区域、第2区域、以及第I区域和第2区域以外的第3区域中的至少I个区域上设置保护层的工序，和在上述形成了 η型扩散层的第I区域和形成了 P型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。<3>根据上述〈2>所述的，其中，上述保护层是氧化物膜。<4>根据上述〈1> 〈3>中任一项所述的，其中，上述η型杂质含有选自P(磷)和Sb(锑)中的至少I种元素。<5>根据上述〈1> 〈4>中任一项所述的，其中，上述P型杂质含有选自B(硼)、Α1(铝)和Ga(镓)中的至少I种元素。<6>根据上述〈1> <5>中任一项所述的，其中，上述包含η型杂质的玻璃粉末含有选自P203、P2O5及Sb2O3中的至少I种含η型杂质的物质、和选自Si02、K20、Na2Oλ Li20、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V205、SnO、ZrO2Λ Ti02、及 MoO3中的至少I种玻璃成分物质。<7>根据上述〈1> 〈6>中任一项所述的，其中，上述包含P型杂质的玻璃粉末含有选自B203、Al2O3及Ga2O3中的至少I种含p型杂质的物质、和选自Si02、K20、Na2Oλ Li20、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V205、SnO、ZrO2Λ Ti02、及 MoO3中的至少I种玻璃成分物质。专利技术效果根据本专利技术，可提供在背面电极型太阳能电池的制造工序中能以简便的工艺在同一面上形成彼此不同的2种杂质扩散层的。具体实施例方式在本说明书中，所谓“工序”的用语，不单是独立的工序，即使在与其它工序不能明确区别时，只要可达到该工序所期望的作用，则也包含在本用语之内。此外，在本说明书中用“ ”示出的数值范围表示包含在“ ”前后记载的数值分别作为最小值和最大值的范围。进而，就在本说明书中组合物中各成分的量而言，在组合物中存在多个属于各成分的物质时，只要没有特别预先说明，就意味着在组合物中存在的该多个物质的合计量。本专利技术的的第I形式是包含以下工序而构成的:对半导体基板一个面上的第I区域给予含有包含η型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成η型扩散层的组合物的工序；对位于上述半导体基板的设有上述第I区域的面上且为上述第I区域以外的第2区域给予含有包含P型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成P型扩散层的组合物的工序；对给予了上述用于形成η型扩散层的组合物和用于形成P型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成η型扩散层和P型扩散层的热扩散工序；在上述形成了 η型扩散层的第I区域和形成了 P型扩散层的第2区域分别形成电极的工序；和根据需要的其它工序。将用于形成η型扩散层的组合物和用于形成P型扩散层的组合物分别给予第I区域和第2区域后，通过热处理，第I区域中η型杂质从用于形成η型扩散层的组合物扩散到半导体基板中，而第2区域中P型杂质从用于形成P型扩散层的组合物扩散到半导体基板中，分别以所需的形状精度良好地形成η型扩散层和P型扩散层。另外，能够抑制在第I区域和第2区域以外的第3区域中形成η型扩散层或者P型扩散层。本专利技术的的第2形式是包含以下工序而构成的:对半导体基板一个面上的第I区域给予含有包含η型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成η型扩散层的组合物的工序；对位于上述半导体基板的设有上述第I区域的面上且为上述第I区域以外的第2区域给予含有包含P型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成P型扩散层的组合物的工序；对给予了上述用于形成η型扩散层的组合物和用于形成P型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成η型扩散层和P型扩散层的热扩散工序；在上述热扩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：町井洋一，吉田诚人，野尻刚，冈庭香，岩室光则，足立修一郎，织田明博，佐藤铁也，木泽桂子，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：
国别省市：