【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构和制造方法,更具体而言,涉及可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。
技术介绍
SAff (表面声波)滤波器在电信中起重要作用。例如,SAW滤波器在移动和无线应用中被广泛用作带通和频谱整形滤波器。SAW滤波器的其他应用包括广域网(WAN)、无线局域网(WLAN)通信、无绳电话、寻呼机和卫星通信。SAW滤波器优于常规的LC滤波器,因为他们更小、更便宜且更通用,使得他们成为电信应用的理想选择。在SAW滤波器中,电信号在由压电晶体或陶瓷构造的器件中被转换为机械波。在被其他电极转换回电信号之前,由于传播经过该器件,该波被延迟。更具体而言,通过叉指换能器(interdigital transducer, IDT)实现表面波与电信号之间的稱合。IDT的简单形式包括被交替地连接到相反电极的平行指状物(finger),其中信号被施加到所述相反电极。 例如,当AC电压被施加到输入换能器时,由于压电现象,换能器产生压电基底表面的机械变形。这转而导致表面声波在压电基底的表面上行进,直到到达输出IDT,在那儿它被转换回电信号。当该波到达输出IDT时,电场 ...
【技术保护点】
一种方法,包括:形成至少一个压电滤波器结构,所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极,包括:在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极;在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极;以及形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。
【技术特征摘要】
2012.01.25 US 13/358,1721.一种方法,包括: 形成至少一个压电滤波器结构,所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极,包括: 在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极; 在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极;以及 形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。2.如权利要求1所述的方法,其中,所述可动电极被形成为地电极,在被致动时,所述可动电极的所述多个指状物变为与所述固定电极的所述多个指状物交错。3.如权利要求1所述的方法,其中,所述可动电极被形成为Vin电极,在被致动时,所述Vin电极的所述多个指状物变为与所述地电极的所述多个指状物交错。4.如权利要求1所述的方法,其中,形成所述致动器包括在所述压电基底中蚀刻出沟槽并将金属或金属合金沉积在所述沟槽中。5.如权利要求1所述的方法,其中,形成所述致动器包括使所述致动器与所述可动电极的所述多个指状物对准。6.如权利要求1所述的方法,其中,形成所述致动器包括形成比所述可动电极的所述多个指状物的数量少的致动器。7.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个压电滤波器结构是表面声波(SAW)滤波器。8.如权利要求7所述的方法,其中,形成所述SAW滤波器包括: 形成包括交错的信号电极和地电极的Vin叉指换能器(IDT);以及 形成包括交错的信号电极和地电极的Vout IDT。9.如权利要求8所述的方法,其中,形成所述可动电极包括将所述可动电极定位在所述Vin IDT或所述Vout IDT的所述信号电极的上方。10.如权利要求8所述的方法,其中,形成所述可动电极包括将所述可动电极定位在所述Vin IDT或所述Vout IDT的地电极的上方。11.如权利要求1所述的方法,其中,形成所述可动电极包括: 在所述固定电极和所述致动器之上形成绝缘体层; 对所述绝缘体层进行构图以暴露所述固定电极; 在所述绝缘体层的图形中并在所述固定电极之上沉积牺牲材料; 在所述牺牲材料上形成所述可动电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·W·阿基森,P·坎德拉,T·J·邓巴,J·P·甘比诺,M·D·贾菲,A·K·斯塔珀,R·L·沃尔夫,
申请(专利权)人:国际商业机器公司,
类型:发明
国别省市:
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