【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在权利要求1的特征部分指出的类型的磁场传感器。
技术介绍
特别适合作为位置换能器的可能是旋转位置传感器，通过所述旋转位置传感器可以捕获旋转本体的角位置。为此，旋转本体非旋转性地附接至永磁体阵列或者与永磁体激励阵列相联接，所述永磁体激励阵列的磁场使所述本体精确地重复旋转。所述磁场的电流方向由三个霍尔元件检测，所述三个霍尔元件位于相对于被监测本体的旋转的固定位置。至少两个近似周期性的测量信号从霍尔元件的输出信号推导出，使这些测量信号相移以消除这两个信号所固有的不确定性。从EP I 182 461 Al中已知适用于这种目的的磁场传感器，在EP I 182461 Al中，霍尔元件被形成并布置在半导体集成电路中，使得它们的有效表面位于与半导体IC的平面表面之一平行的公共表面内。在很多应用中，将永磁体激励阵列定向成其磁化方向在与霍尔元件的那些有效表面之一平行的平面内移动，这对于结构因素而言是有利的。但是，为了确保它们的有效表面仍然被磁场的垂直分量穿过，至少一个铁磁性材料偏转本体被设想、成形和定位为使得从永磁体激励阵列发射的一部分磁场线以垂直分量穿过所述表面(在...
【技术保护点】
一种用于位置换能器的磁场传感器，该磁场传感器具有至少三个霍尔元件（6），包括用于所述磁场传感器的输出信号的处理和控制电子装置以及永磁体激励阵列（2；11；12），所述永磁体激励阵列的磁场方向由所述霍尔元件（6）来检测，这些霍尔元件在具有相互距离的情况下形成并定位在半导体IC（5）上，使得它们的有效表面位于与所述半导体IC（5）的上表面平行的公共平面上，由铁磁性材料构成的一个单个偏转本体（4）被布置成使得从所述永磁体阵列（2；11；12）发射的、在没有所述偏转本体（4）的情况下将与所述霍尔元件的有效表面的公共平面平行地延伸的场线接收垂直地穿过这些有效表面的至少一个方向分量，其...
【技术特征摘要】
2012.01.27 DE 102012001501.1;2012.02.07 DE 1010121.一种用于位置换能器的磁场传感器，该磁场传感器具有至少三个霍尔元件(6)，包括用于所述磁场传感器的输出信号的处理和控制电子装置以及永磁体激励阵列(2 ；11 ；12)，所述永磁体激励阵列的磁场方向由所述霍尔元件(6)来检测，这些霍尔元件在具有相互距离的情况下形成并定位在半导体IC (5)上，使得它们的有效表面位于与所述半导体IC(5)的上表面平行的公共平面上，由铁磁性材料构成的一个单个偏转本体(4)被布置成使得从所述永磁体阵列(2 ；11 ；12)发射的、在没有所述偏转本体(4)的情况下将与所述霍尔元件的有效表面的公共平面平行地延伸的场线接收垂直地穿过这些有效表面的至少一个方向分量，其特征在于， 所述偏转本体(4)作为与所述半导体IC (5)分离的独立元件制造和安装，并且所述半导体IC (5)的表面上的所述霍尔元件的相互距离包括所述霍尔元件(6)自身的最大长度的多倍。2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述偏转本体(4)为板状，并且以如下方式布置，即:其平面表面中的一个平面表面面向所述半导体IC (5)的承载所述霍尔元件(6)的表面并且与该表面近似平行地延伸。3.根据权利要求1或2所述的磁场传感器，其特征在于，所述板状的偏转本体(4)布置在所述半导体IC (5)的壳体上。4.根据权利要求2或3所述的磁场传感器，其特征在于，所述板状的偏转本体(4)的面向所述半导体IC (5)的承载所述霍尔元件(6)的表面的平面表面完全覆盖所述霍尔元件(6)的有效表面。5.根据权利要求4所述的磁场传感器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·梅纳特，T·泰尔，
申请(专利权)人：W·梅纳特，T·泰尔，
类型：发明
国别省市：
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