一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法，包括以下步骤：称量氟化物晶体和除氧剂粉末，混合后压成料块；对压成的块料进行干燥处理；将料块装入坩埚中，依次安装热场组件，并安装籽晶；抽真空，并升温化料，直至观察到料块熔化为止；下降籽晶使之接触熔化液面，使籽晶微熔，提拉籽晶杆，料块在籽晶上凝结生长；在晶体引晶结束后，降低功率进入放肩阶段，此阶段保持晶体旋转，同时保持晶体的提拉速度，晶体会随着向上的提拉过程直径逐渐放大，进入等径生长阶段，直至长晶结束；在晶体重量达到投料重量后，降温退火。本方法生长成本低，生长周期短；适合大尺寸氟化物晶体，真空生长，无氧杂质；生长过程可见可控，晶体质量高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
碱土氟化物晶体是一种传统的晶体材料，因其优异的光学和物化性能，以及独特的结构特征，在工业应用和科学研究两个领域一直都发挥着非常重要的作用。而且随着人类科技水平的发展，新的应用前景不断地展现。工业应用方面，碱土氟化物晶体的透过波长范围宽，被用作真空紫外到红外波段的窗口材料。同时，低的折射率和低色散特性使碱土氟化物晶体成为性能优异的消色差和复消色差透镜材料，被广泛地应用于紫外光刻、天文观测、航测、侦查及高分辨率光学仪器中。特别地，碱土氟化物晶体具有极高的紫外透过率、高的激光损伤阈值、低的双折射率和高的折射率均匀性，是正在向45nm节点发展的准分子激光光刻系统的首选透镜材料。另一方面，三价稀土离子掺杂的碱土氟化物晶体是人们从事晶体结构缺陷、离子动力学性能、发光性能等基础理论研究工作的理想体系。相对于高温氧化物晶体，碱土氟化物晶体的熔点要低得多(CaF2: 1400°C),采用传统的熔体生长法，如提拉法(Czocharalski, Cz)、 甘祸下降法(Bridgman)、温度梯度法(Temperature gradient technique, TGT)等,很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1.?原料的预处理：???称量氟化物晶体和除氧剂粉末，混合均匀后压成料块；对压成的块料进行干燥处理；步骤2.?装料：装料过程在干燥洁净室中完成，将配制好的料块装入钨制坩埚中，并将热场组件依次安装，并安装籽晶；步骤3.抽真空，并升温化料，直至观察到料块熔化为止；步骤4.缩颈及引晶：下降籽晶使之接触熔化液面，控制温度高于晶体熔点使籽晶微熔，然后提拉籽晶杆在表面张力的作用下，料块在籽晶上凝结生长；步骤5.放肩及转肩：在晶体引晶结束后，降低功率进入放肩阶段，在此阶段保持晶体旋转，同时保持晶体的提拉速度，晶体会随着向上的提拉过程直...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆国，钱兵，朱烨，汪红卫，鞠星，李倩，
申请(专利权)人：苏州巍迩光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：