The utility model relates to a semiconductor laser chip structure with a multilayer grating layer, which is composed of two materials of different refractive index optical thickness which are alternately grown, and the output wavelength of the laser is 1/4. The wavelength selection is used to select the two kinds of materials, and the refractive index can be changed to achieve the wavelength selection. The structure can realize the compression of the spectral width of the laser output center wavelength, and finally obtain the high power output.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体激光芯片结构，属于光学与激光光电子
技术介绍
半导体激光器具有光电转换效率高、结构紧凑、体积小、重量轻、寿命长及波长覆盖范围广、可调谐等优点，但是，半导体激光器存在光谱较宽、中心波长随环境温度漂移等缺点。通常大功率半导体激光器光谱宽度(FWHM)在2 5nm，温漂系数在0.3nm/K。这限制了大功率半导体激光器的一些重要应用，如泵浦YAG固体激光器需要大功率半导体激光器泵浦源输出光谱与激光晶体吸收光谱良好匹配，提高输出功率和光电转换效率；激光助视照明要求激光光源具有稳定的工作波长和较小的谱宽以高效滤除背景光、提高系统的信号信噪比。而且，光谱范围宽会造成半导体激光器不能直接用在需要精密光谱特性的基础研究领域。为了改善半导体激光器的光谱特性，有些公司和研究小组开发了垂直腔面发射半导体激光器，但是输出功率不够高。在很多情况下，研究人员通过在激光器外再增加一些光反馈元件，使得激光器的后反射面和光反馈元件之间形成一个外腔，由于外腔对激光器模式的选择作用，可以大幅度压窄半导体激光器的光谱线宽，同时通过外腔光学元件的调谐作用，使得激光波长可以精确...
【技术保护点】
一种带有多层光栅层的半导体激光芯片结构，其特征在于：?在衬底(1)材料上，采用金属有机化学气相沉积法进行外延层生长，依次生长的N型掺杂的限制层(2)，N型掺杂的波长选择层(3)，N型掺杂的波导层(4)，量子阱(5)，P型掺杂的波导层(6)，P型掺杂的波长选择层(7)，P型掺杂的限制层(8)。
【技术特征摘要】
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