【技术实现步骤摘要】
本技术属于晶片抛光用具及材料,特别涉及一种浅药囊抛光布。技术背景现行的晶片双面抛光所使用的抛光垫的下垫采用根双面抛光上垫一样的 材料——聚氮酯发泡。见(附图说明图1)由于砷化镓双面抛光的特殊工艺，使用和双 面抛光上垫同一种材料制造的双面抛光下垫所抛出来的晶片背面不合格。原 因是砷化镓在抛光过层中需要使用氯，对晶片表面进行腐蚀。在晶片加工过 程结束前加入还原剂，将药液中的氯在很短的时间内完全的中和掉，不再进 行腐蚀已达到很高的光洁度。但是由于普通的双面抛光下垫的药囊较深，在 短时间内还原剂不能够将药液中的氯完全中和，使晶片背面产生腐蚀痕迹， 从而影响其表面的光洁度。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种浅药囊抛光布。解决晶片 背面产生腐蚀痕迹问题，从而达到合格的表面的光洁度。 本技术的技术方案是一种浅药囊抛光布，在基材上面是药囊层，其特征在于药囊层上布满 上开口的药囊，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深度为0.2—0.3毫米。 药囊层的材料是聚氨酯泡沫塑料。 药囊从表面到底部深度0. 2毫米。 本技术效果是使用这种浅药囊抛光布，加工出来的抛光垫可有效的提高晶片背面的光 洁度。本技术是技术方案是縮短抛光垫存药的药囊。实施方法为削掉或 磨掉药囊多余的部分使药囊縮短，从而在加入还原剂后使药剂中的氯完全快 速的中和，提高其表面的光洁度。 附圉说明图1是原有的药囊抛光布的结构示意图图2是改进后浅药囊抛光布的结构示意图具体实施方式一种浅药囊抛光布，在无纺布的基材1上面有一层聚氨酯泡沫塑料的药 囊层2，药囊层上布满上开口的药囊3，药囊为水滴状，药囊从表面到底部...
【技术保护点】
一种浅药囊抛光布，在基材上面是药囊层，其特征在于：药囊层上布满上开口的药囊，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深度为０．２－０．３毫米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田鸿义，
申请(专利权)人：天津市克鲁格科工贸有限公司，
类型：实用新型
国别省市：12[]
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