石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用柴氏法的单晶硅提拉中所使用的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
技术介绍
在单晶娃的制造中，广泛采用称为柴氏法(Czochralski Method)的方法。在利用此柴氏法的单晶硅的制造中，一般来说，是在石英玻璃坩埚(也称为石英坩埚)的内部填充多晶娃(多结晶娃(polysilicon)),借助加热进行熔融后作成娃融液,并将晶种(seedcrystal)浸溃在硅融液中后进行提拉，从而培育单晶硅晶棒。过去，被认为:在单晶硅的培育中，高温下石英玻璃坩埚中所包含的气泡会膨胀，坩埚内周面剥离从而单晶硅发生位错(例如，参照专利文献I);或石英玻璃坩埚表面由非结晶体变为方晶石(cristobalite)，由于此方晶石的剥离而导致单晶硅发生位错(例如，参照专利文献2)。关于利用柴氏法的单晶硅制造中的石英玻璃坩埚表面的方晶石化(结晶化)，根据专利文献3和专利文献4，记载有“在结晶化的初期阶段，以结晶生成核为基点形成为点状，伴随单结晶提拉的进行，结晶化扩大为环状”；“这种结晶化的进展现象会导致生成结晶化斑点。因为此结晶化斑点的外周部分呈茶色，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村明浩，松本克，布施川泉，三木克彦，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：
国别省市：