【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻技术,尤其涉及。
技术介绍
光刻设备是一种将掩模图案曝光成像到硅片上的设备。已知的光刻设备包括步进重复式和步进扫描式光刻设备。衡量这些光刻设备的一个重要的方面就是准确度,即在照射期间要移动的部件能够移动的准确度,所述要移动的部件有:承载掩模图案的掩模台,承载硅片的硅片台。一般情况下,都会采用位置反馈,利用标准的基于PID (比例-积分-微分)的控制系统进行控制。同时,为了获得纳米级别的位置准确度,以及快速的响应时间,就要求光刻设备有较大的加速度和对测量基准框架较小的冲击,而这两项指标往往是相互矛盾的,所以,在许多光刻设备中,都采用硅片台-平衡质量的结构,硅片台电机产生较大的加速度来满足快速响应的要求,硅片台电机的反力作用到平衡质量上,平衡质量反向运动来吸收硅片台的冲击,来满足对测量基准框架较小冲击的要求。硅片台-平衡质量系统在运动过程中,满足质心守恒。实际中,平衡质量电机驱动中心为质心点,但是测量中心往往取形心点,这样,在实现控制的时候,就存在控制信号从形心位置到质心位置的转换,这个转换和质心和形心的位置偏差密切相关,如果质心和形心位置没有很好 ...
【技术保护点】
一种工件台平衡质量质心测试校准方法,具有以下步骤:步骤一、针对平衡质量生成N组Rz轨迹,设定最大测试次数M;步骤二、假设初始时质心偏差????????????????????????????????????????????????、为零,设定XY向质心的搜索阈值spec_x和spec_y;步骤三、选择X、Y、Rz轴的测试模型,将此时的、值代入到测试模型中,选择一组Rz轨迹,注入到测试模型;步骤四、运行测试模型,得到平衡质量零速段位移测量输出,进而得到XYRz三自由度的位移输出、和,根据公式:计算出此时的、值并记录;步骤五、输入下一组Rz轨迹,重复步骤三和步骤四,得到不同的、 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴立伟,董俊清,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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