【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更详细地说，涉及除去附着在半导体制造装置的构成部件上的堆积物的。
技术介绍
通常，在半导体部件的制造中，使用半导体制造装置在晶片上形成硅氧化膜等各种膜。在构成该半导体制造装置的加热器、静电吸盘或支架上，在膜生成过程中附着有堆积物。如果在加热器或支架上附着堆积物的话，则晶片的热均匀性降低，器件特性等的再现性降低。如果在静电吸盘上附着堆积物的话，则不会产生足够的静电吸附力，表面粗糙度发生变化，与晶片的接合程度或热传导方式改变，对等离子体加热时的晶片的热均匀性降低，器件特性等的再现性降低。因此，在现有技术中对附着在半导体制造装置的构成部件上的堆积物进行定期除去的作业(例如，参照日本特开2002-28599号公报以及特开2005-193308号公报)。然而，上述特开2002-28599号公报的现有技术记载的堆积物除去方法，是将玻璃珠喷沙材料喷射到被处理物上的方法，在被处理物上残留有玻璃珠喷沙材料，有成为粒子污染源的危险。另外，上述特开2005-193308号公报所公开的堆积物的除去方法，是对被处理物喷射喷沙材料的方法，由于没有规定喷射时的压力等，所以有...
【技术保护点】
一种喷沙处理方法，是在氮化铝构成的被处理物的表面上喷射喷沙材料，将附着在该表面上的堆积物除去，其特征在于，作为上述喷沙材料，使用碳化硅或氧化铝构成、且粒度为＃４００～＃８００的沙粒，将喷沙材料撞击到被处理物表面时的压力，即喷 沙压力设定为４０～１５０ｇｆ／ｃｍ↑［２］。
【技术特征摘要】
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