本发明专利技术涉及一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，该RFID标签天线具有单元阵列(1)、基片(2)以及基片底板(3)，辐射单元阵列(1)具有围绕该芯片成非对称结构的分布形式，由第一辐射单元(5)与第三辐射单元(7)构成RFID标签天线(9)的低频谐振系统，由第二辐射单元(6)与第四辐射单元(8)构成RFID标签天线(9)的高频谐振系统。由此实现双频效果，从而使本发明专利技术的RFID标签天线达到欧洲和美国的两个不同频段性能的兼容性，实现双频段特性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种RFID标签天线，尤其是涉及一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线。
技术介绍
RFID (Radio Frequency Identification)-射频识别技术，是一种利用射频通信实现的非接触式自动识别技术，它包括电子标签(tag)、读写器(reader)两个主要部分，附有编码的标签和读写器通过天线进行无接触数据传输，以完成一定距离的自动识别过程。目前的射频识别系统按照使用的频段划分，可以分为低频系统(30 300KHZ)、中高频系统(3-30MHZ)以及超高频和微波系统(300MHz-3GHz或大于33GHz)。作为快速、实时、准确采集与处理信息的高新技术和消息标椎化的基础，已经被世界公认为本世纪十大重要技术之一，随着UHF频段中国标准的逐渐明朗化以及物流、智能交通、数字景区等应用的需求，UHF频段RFID产品在RFID产业中所占市场份额会越来越大。RFID标签天线和读写器天线作为通信的重要工具，在识别系统中发挥着重要作用。为了在较长的工作距离上快速读取标签上的信息，高频段的系统正备受关注，而RFID标签天线是RFID系统中最易变的部分，并且其设计面临着小型化，共形化、低成本、低损耗的实际要求，所以优化设计RFID标签天线在整个RFID系统中占有重要地位。目前各地区使用RFID标签天线的频带宽度在其高频范围内仍不尽一致，例如欧洲采用866 868MHz的频段，而美国则采用902 928MHz频段，当RFID标签天线在上述不同地区的不同频带宽度地区进行切换时，现有技术的RFID标签天线由于带宽限制，也很难在不同频带宽度的地区被识别。并且，由于现有RFID标签天线在谐振频率低于910MHz时，导致读取距离明显不佳。为取得良好的识别效果，就必须增加现有RFID标签天线的厚度及长宽尺寸，由此带来RFID标签天线外形尺寸增加和成本上涨。因此，一种新型的具有兼容功能的可远距离识别的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线成为行业内产品发展的方向。
技术实现思路
本专利技术基于RFID标签天线厚度在Imm及以下时设计的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，本专利技术目的在于提供一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，具有小型化、低损耗以及可远距离识别的特点。本专利技术提供一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，包括辐射单元阵列、基片以及基片底板，辐射单元阵列上具有芯片，芯片位于辐射单元阵列的中央，辐射单元阵列具有第一辐射单元和第二辐射单元以及第三辐射单元和第四辐射单元，第一辐射单元和第二辐射单元以及第三辐射单元和第四辐射单元围绕芯片呈非对称结构分布。基于以上构思，本专利技术的非对称结构分布形式为辐射单元阵列的第一辐射单元和第四辐射单元位于的芯片的一侧，辐射单元阵列的第二辐射单元和第三辐射单元位于芯片的另一侧。基于以上构思，本专利技术的非对称结构分布形式为第一辐射单元和第三辐射单元呈与芯片对角线分布，第二辐射单元与第四辐射单元呈与芯片对角线分布的形式。基于以上构思，本专利技术的第一辐射单元与第三辐射单元构成RFID标签天线的低频谐振系统，第二辐射单元与第四辐射单元构成RFID标签天线的高频谐振系统。基于以上构思，本专利技术的辐射单元阵列具有隔离单元。基于以上构思，本专利技术的辐射单元阵列的第一辐射单元与第四辐射单元之间具有第一隔离单元。基于以上构思，本专利技术的辐射单元阵列的第二辐射单元和第三辐射单元之间具有第二隔离单元。基于以上构思，本专利技术的基片的具有短路结构。基于以上构思，本专利技术的短路结构是位于基片的两侧面的短路面，或者是基片上的导电过孔。本专利技术的有益效果在于克服了 RFID标签天线的小型化、各地区之间频率不同从而导致RFID标签天线无法兼容以及RFID标签天线远距离读写难题，本专利技术基于超薄介质Imm及以下时设计，性能表现相比其他而言最为明显，提高了 RFID标签天线的带宽范围，使得本专利技术的RFID标签天线可于更宽频宽范围下使用。附图说明图1为本专利技术的RFID标签天线结构示意图；图2为本专利技术的RFID标签天线的辐射单元阵列结构示意图。具体实施例方式以下结合附图，对本专利技术的具体实施过程作详细介绍。参见图1和图2，本专利技术的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9具有基片2和分别附着于基片2上表面的辐射单元阵列I和下表面的基片底板3以及位于辐射单元阵列中央的芯片10，基片2两侧具有短路面4。本专利技术的辐射单元阵列I具有4个同极化非对称的辐射单元构成天线阵列，4个辐射单元均为同方向的线性极。构成辐射单元阵列I的第一辐射单元5和第四辐射单元8位于芯片10的一侧，辐射单元阵列I的第二辐射单元6和第三辐射单元7位于芯片10的另一侧。第一辐射单元5和第三辐射单元7呈与芯片10对角线对称分布、第二辐射单元6与第四辐射单元8呈与芯片10对角线对称分布的形式。组成辐射单元阵列的辐射单元围绕芯片10呈非对称形式分布，其中，第一辐射单元5与第三辐射单元7结构相同，构成本专利技术超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9的低频谐振系统，适应欧洲的标签天线工作频段，第二辐射单元6与第四辐射单元8的结构相同，构成本专利技术超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9的高频谐振系统，适应美国的标签天线工作频段，从而使本专利技术的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9达到欧洲和美国的两个不同频段性能的兼容性，实现双频段特性，本实施例仅是为说明本专利技术的非对称结构而进行的举例说明，但本专利技术的辐射单元非对称分布形式并不仅限于此，在其他形式的非对称结构中，构成低频谐振系统的第一辐射单元5和第三辐射单元7也可以是分别位于芯片10的两侧，但都是靠上侧分布或是靠下侧分布，而构成高频谐振系统的第二辐射单元6和第四辐射单元8位于芯片两侧的下侧或者上侧，即上一实施方式中的第二辐射单元6和第三辐射单元7的位置互换，由此构成上下不对称的辐射单元阵列。同时本专利技术的辐射单元阵列还可以通过调整辐射单元缺陷尺寸，即调整辐射单元的面积来微调该超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9的谐振频率，此处所提及的调整辐射单元缺陷尺寸是通过调整所形成的辐射单元的尺寸来实现的。以上实施方式仅是以具有四单元辐射单元的非对称结构的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9为例进行结构说明，并非用于限制本专利技术的辐射单元天线阵列结构，本专利技术的辐射单元天线阵列结构可根据实际需要延展至六单元或者八单元阵列等。以下结合表I实验数据对本专利技术具有四辐射单元阵列的超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线9的有益效果进行说明。 表1:权利要求1.一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，包括辐射单元阵列(I)、基片(2)以及基片底板(3)，辐射单元阵列(I)上具有芯片(10)，所述芯片(10)位于辐射单元阵列(I)的中央，其特征在于:所述的辐射单元阵列(I)具有第一辐射单元(5)和第二辐射单元(6)以及第三辐射单元(7)和第四辐射单元(8)，所述第一辐射单元(5)和第二辐射单元(6)以及第三辐射单元(7)和第四辐射单元(8)围绕所述的芯片(10)呈非对称结构分布。2.如权利要求1所述的RFID标签天线，其特征在于:所述的非对称结构分布形式为所述的辐射单元阵列(I)的所述的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超薄型双频微带贴片天线阵式RFID标签天线，包括辐射单元阵列(1)、基片(2)以及基片底板(3)，辐射单元阵列(1)上具有芯片(10)，所述芯片(10)位于辐射单元阵列(1)的中央，其特征在于：所述的辐射单元阵列(1)具有第一辐射单元(5)和第二辐射单元(6)以及第三辐射单元(7)和第四辐射单元(8)，所述第一辐射单元(5)和第二辐射单元(6)以及第三辐射单元(7)和第四辐射单元(8)围绕所述的芯片(10)呈非对称结构分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘智佳，杜国宏，
申请(专利权)人：刘智佳，
类型：发明
国别省市：
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