超宽频双极化基站天线辐射单元制造技术

技术编号:8848060 阅读:151 留言:0更新日期:2013-06-23 20:03
本实用新型专利技术公开了一种超宽频双极化基站天线辐射单元,包括辐射单元主体以及馈电片组件,其中:该辐射单元主体包括辐射单元臂以及与该辐射单元臂相连接的辐射单元巴伦,该辐射单元巴伦设置有用于容置该馈电片组件的容置空间;该馈电片组件包括第一馈电片和第二馈电片,该第一馈电片和第二馈电片相互电绝缘地交叉设置,并与该辐射单元主体电绝缘。本实用新型专利技术的超宽频双极化基站天线辐射单元,通过两个馈电片以耦合的方式进行馈电,可极大提高辐射单元阻抗匹配的带宽,并可在提高辐射单元强度的同时,提高辐射单元的频带宽度,并显著改善整个频段内的驻波比、前后比和交叉极化比。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及无线通讯领域中的基站天线,更具体地,是一种超宽频双极化基站天线辐射单元
技术介绍
移动通信系统在实现人们的通信需求中起着举足轻重的作用,而基站天线则是移动通信系统实现无线通信必不可少的关键设备。目前常见的宽频天线主要为1710-2170MHz、2300-2700MHz、2500-2690MHz等。随着移动通信系统的不断发展,市场对涵盖上述所有频段的1710-2690MHZ超宽频带基站天线的需求越来越迫切。此外,通信系统对基站天线的指标如驻波比、隔离度、波瓣宽度、前后比、交叉极化比、交调等的要求也越来越高。但由于1710-2690MHZ的相对带宽高达44.6%,对辐射单元的性能要求极高,在各项指标上实现的难度很大,因此目前很少有能够满足所有上述指标的基站天线。在一份现有技术中,偶极子的馈电通过同轴电缆馈送,电缆外导体焊接在一个辐射单元臂的空槽上,内导体焊接在另一臂对顶点部分的槽位上。此外,还通过使用在相邻臂对之间放置传统的绝缘隔离器来进一步提高偶极的性能。该技术通过同轴电缆直接对辐射单元进行馈电,电缆外导体和辐射单元臂空槽焊接在一起,焊接面积很大,对焊接工艺要求很高,焊接成本较高,且很容易焊接不良而严重恶化交调指标。而且使用电缆直接馈电,辐射单元的阻抗匹配只能够过使用辐射单元形状等方式进行,只能在在较窄频段内匹配。该技术还在相邻臂对之间放置传统的绝缘隔离器来进一步提高辐射单元的性能。实际上该技术使用的辐射单元臂很薄,强度不够,所以必须采用绝缘隔离器的附加装置来提高其强度。而且即使使用了该绝缘隔离器,也只能保证辐射单元臂中间的间隙尺寸不变,辐射单元臂的顶端部分强度依然较差,很容易在装配过程中的轻微触碰而变形,所以加大了装配难度和成本,并可能造成天线指标的全面下降。在另一份现有技术中,为减小反射板背面PCB板的能量泄漏,其在反射板背面传动装置上方与天线罩之间增加了屏蔽底板,以改善前后比。该技术使用了屏蔽底板以改善前后比。这是因为该辐射单元仅靠反射板等常规结构的条件下,前后比指标不够好。而为了改善前后比而使用屏蔽底板,增加了天线的复杂程度和成本,降低了天线性能特别是降低了交调的稳定性。
技术实现思路
本技术的目的,在于解决现有的基站天线辐射单元在应用中所存在的上述局限及缺陷,从而提供了一种新型的超宽频双极化基站天线辐射单元。本专利技术的超宽频双极化基站天线辐射单元,包括辐射单元主体以及馈电片组件,其中:该辐射单元主体包括辐射单元臂以及与该辐射单元臂相连接的辐射单元巴伦,该辐射单元巴伦设置有用于容置该馈电片组件的容置空间;该馈电片组件包括第一馈电片和第二馈电片,该第一馈电片和第二馈电片相互电绝缘地交叉设置,并与该辐射单元主体电绝缘。优选地,所述容置空间包括第一通孔、第一容置孔、第二通孔以及第二容置孔,并且,该第一馈电片包括第一连接端以及与该第一连接端相对的第一悬设端,该第一连接端穿设于该第一通孔内,并且该第一悬设端容置于该第一容置孔内;该第二馈电片包括第二连接端以及与该第二连接端相对的第二悬设端,该第二连接端穿设于该第二通孔内,并且该第二悬设端容置于该第二容置孔内。优选地,所述第一通孔、第一容置孔、第二通孔以及第二容置孔内分别设置有用于固定所述第一馈电片的第一连接端和第一悬设端、以及所述第二馈电片的第二连接端和第二悬设端的第 N牛。优选地,所述第一馈电片和所述第二馈电片在交叉位置设置有用于固定位置的第二卡件。优选地,所述辐射单元臂为其内设置有连接条的框状结构。优选地,所述辐射单元臂为带圆角的方形框状结构。优选地,所述辐射单元臂和辐射单元巴伦一体设置。优选地,所述辐射单元巴伦的底部设置有第一接头和第二接头,该第一接头与所述第一通孔相贯通,该第二接头与所述第二通孔相贯通,并且,该第一接头设置有第一馈电槽,该第二接头设置有第二馈电槽。优选地,所述辐射单元臂之间的间隔位置设置有用于降低辐射单元臂间互偶的隔离卡夹。本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元,通过两个馈电片以耦合的方式进行馈电,可极大提高辐射单元阻抗匹配的带宽,并可在提高辐射单元强度的同时,提高辐射单元的频带宽度,并显著改善整个频段内的驻波比、前后比和交叉极化比。附图说明图1为本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元的立体结构图;图2为本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元的俯视图;图3为本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元的透视图;图4为本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元从底部看过去的立体结构图;图5为本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元的一种应用示意图。具体实施方式以下结合附图,对本技术的结构和特点进行详细说明。如图1所示,是本技术的超宽频双极化基站天线辐射单元100的立体结构示意图。结合附图,该超宽频双极化基站天线辐射单元100包括辐射单元主体以及馈电片组件130,其中,辐射单元主体包括辐射单元臂110以及与该辐射单元臂相连接的辐射单元巴伦120,辐射单元巴伦120设置有用于容置该馈电片组件130的容置空间121。馈电片组件130包括第一馈电片131和第二馈电片132,第一馈电片131和第二馈电片132相互电绝缘地交叉设置,并与辐射单元主体电绝缘。继续参照图1,惯常地,辐射单元臂110为四个,并两两对称设置于同一个平面上,并且辐射单元臂110的长度设置为频段的四分之一波长。特别地,在本技术中,辐射单元臂Iio优选地应该具有足够厚度,例如在2.5mm-6mm之间,以提高辐射单元强度。并且,结合图1、2,辐射单元臂110优选地为其内设置有连接条111的框状结构。连接条111横向设置于辐射单元臂的中心,可在提高辐射单元强度的同时,提高辐射单元的频带宽度。优选地,在本技术的实施方式中,辐射单元臂110为带圆角112的方形框状结构。当然,容易理解,该辐射单元臂110也可以为其它类型的框状结构,例如椭圆形、三角形或不规则的其它形状等。辐射单元臂110和辐射单元巴伦120可以是分立设置,即分别成型后通过常规的禁固手段固定在一起。在本技术的实施方式中,辐射单元臂Iio和辐射单元巴伦120为一体设置。参照图1、2、3,辐射单元巴伦120的容置空间121包括第一通孔1211、第一容置孔1212、第二通孔1213以及第二容置孔1214 (参照图2)。并且,结合图2,并特别参照图3,第一馈电片131包括第一连接端1311以及与第一连接端1311相对的第一悬设端1312,第一连接端1311穿设于第一通孔1211内,并且第一悬设端1213容置于第一容置孔1212内。与第一馈电片131类似,第二馈电片132包括第二连接端1321以及与第二连接端1321相对的第二悬设端1322,第二连接端1321穿设于第二通孔1213内,并且第二悬设端1322容置于第二容置孔1214内。由此,第一馈电片131和第二馈电片132悬空设置于容置空间121内,即不和辐射单元主体电接触,而是以耦合方式对辐射单元进行馈电。第一馈电片131的第一连接端1311和第二馈电片132的第二连接端1321分别用于连接外部电缆。继续参照图1、2,在本技术的一个优选实施方式中,在辐射单元巴伦120中,第一通孔1211、第一容置孔1212、第二通孔121本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种超宽频双极化基站天线辐射单元,其特征在于,包括辐射单元主体以及馈电片组件,其中:该辐射单元主体包括辐射单元臂以及与该辐射单元臂相连接的辐射单元巴伦,该辐射单元巴伦设置有用于容置该馈电片组件的容置空间;该馈电片组件包括第一馈电片和第二馈电片,该第一馈电片和第二馈电片相互电绝缘地交叉设置,并与该辐射单元主体电绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种超宽频双极化基站天线辐射单元,其特征在于,包括辐射单元主体以及馈电片组件,其中: 该辐射单元主体包括辐射单元臂以及与该辐射单元臂相连接的辐射单元巴伦,该辐射单元巴伦设置有用于容置该馈电片组件的容置空间; 该馈电片组件包括第一馈电片和第二馈电片,该第一馈电片和第二馈电片相互电绝缘地交叉设置,并与该辐射单元主体电绝缘。2.根据权利要求1所述的超宽频双极化基站天线辐射单元,其特征在于, 所述容置空间包括第一通孔、第一容置孔、第二通孔以及第二容置孔,并且, 该第一馈电片包括第一连接端以及与该第一连接端相对的第一悬设端,该第一连接端穿设于该第一通孔内,并且该第一悬设端容置于该第一容置孔内; 该第二馈电片包括第二连接端以及与该第二连接端相对的第二悬设端,该第二连接端穿设于该第二通孔内,并且该第二悬设端容置于该第二容置孔内。3.根据权利要求2所述的超宽频双极化基站天线辐射单元,其特征在于,所述第一通孔、第一容置孔、第二通孔以及第二容置孔内分别设置有用于固定所述第一馈电片的第一连接端...

【专利技术属性】
技术研发人员:张代宾陈聪余广辉刘波
申请(专利权)人:罗森伯格上海通信技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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