【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，所述研磨布用修整器在化学性机械性平面化研磨(Chemical and Mechanical Polishing以下，简称为CMP)工序中，用于消除研磨布的堵塞或异物、使研磨布表面再生，恢复研磨速度。
技术介绍
在集成电路等集成度高的电路的制造过程中，为了除去基板或晶片表面上形成的导体层、电介质层及绝缘膜层的高隆起或晶格缺陷、划伤及粗糙等表面缺陷，通常采用CMP加工。在CMP加工过程中，在贴合在圆盘状模座上的由聚氨酯泡沫塑料等构成的研磨布上以规定负荷挤压晶片，并供给称为化学浆液的研磨液，同时使晶片和研磨布二者旋转，从而进行研磨。作为上述CMP加工中的化学浆液，可以使用将氧化铁、碳酸钡、氧化铈、氧化铝、胶态二氧化硅等研磨粒子悬浊在氢氧化钾、稀盐酸、稀硝酸、过氧化氢水溶液、硝酸铁等溶液中得到的研磨液，可以根据研磨速度及晶片上的上述被研磨物的种类等适当选择研磨液。由于在将各种电路叠合在基板或晶片上的过程中多次重复该CMP加工，因此随CMP次数的增加，研磨粒子或研磨屑等进入研磨布的微细孔穴内，引起堵塞，使研磨速度降低。因此，必须经常或定期进行除去研磨...
【技术保护点】
一种研磨布用修整器，是在基体金属表面形成修整部而得到的研磨布用修整器，其特征在于，所述修整部由多个磨粒和保持磨粒的平板状保持材料形成，该保持材料以超硬合金、金属陶瓷、或由氧化物、碳化物、氮化物及硼化物中的１种、２种或２种以上构成的陶瓷中的任意一种为主成分，所述超硬合金由元素周期表的Ⅳａ、Ⅴａ、Ⅵａ族过渡金属、所述金属的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物及所述物质的复合化合物中的１种、２种或２种以上的高熔点高硬度物质与Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ中的１种、２种或２种以上的金属相构成。
【技术特征摘要】
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