等离子体处理腔室及其射频匹配电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频匹配电路，以及，包含该射频匹配电路的多重频率等离子体处理腔，该射频匹配电路包含：射频匹配电路，其可切换地耦合两个偏置频率中的一个和一个源频率在一个阴极上，其包含：第一匹配网络、第二匹配网络、第三匹配网络，以及并联谐振电路，还包含接地的屏蔽板，其设置在第一匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间或第二匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间。本实用新型专利技术能够将偏置频率和源频率之间的隔离度提高10dB，从而减小双频之间的影响和功率泄露，提高能量利用效率和刻蚀速率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用于等离子体处理腔室的射频匹配电路，所述的射频匹配电路可切换地耦合两个偏置频率中的一个和一个源频率在一个阴极上，其包含：一个被调谐以在一个低于10MHz的第一偏置频率下运行的第一匹配网络，一个被调谐以在一个高于第一偏置频率但低于15MHz的第二偏置频率下运行的第二匹配网络，一个被调谐以在一个高于所述第二偏置频率的源频率下运行的第三匹配网络，以及，一个被调谐以使其中心频率与所述第二偏置频率相等的并联谐振电路，其特征在于，所述射频匹配电路还包含：接地的屏蔽板，所述的屏蔽板设置在第一匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间或第二匹配网络的前端与第三匹配网络的前端之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁洁，罗伟义，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：