一种雪崩光电二极管APD耦合电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。本实用新型专利技术采取了上述技术方案以后，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源和调制光源，并具有较高的稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种雪崩光电二极管APD耦合电源。
技术介绍
目前，目前光通信GPON、EPON的应用范围逐渐的扩大，传统的耦合电源已经不能适应GPON、EPON系统设备中B0SA/R0SA器件的耦合。带有APD倍增因子的B0SA/R0SA器件在耦合的过程中，需要给其提供高压，并且每个器件的工作高压不经相同。APD耦合电源在测试器件时，通过单片机给器件加扫描电压，当测得器件的暗电流为10 μ A时，此时的扫描电压即为击穿电压Vbr，由于市场上的带有APD倍增因子的BOSA/ROSA器件的APD工作电压各不相同，例如:有的器件的APD工作电压为Vbr_4V，而有的器件的APD工作电压为0.9*Vbr，甚至还有除这两种工作电压以外的情况。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有的电压问题，提供了一种适应光通信领域的雪崩光电二极管Aro耦合电源。本技术解决上述技术问题所采取的技术方案如下:一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括:单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。

【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括:单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述B0SA/R0...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋元，
申请(专利权)人：武汉普赛斯电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：