一种雪崩光电二极管APD耦合电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。本实用新型专利技术采取了上述技术方案以后，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源和调制光源，并具有较高的稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种雪崩光电二极管APD耦合电源。
技术介绍
目前，目前光通信GPON、EPON的应用范围逐渐的扩大，传统的耦合电源已经不能适应GPON、EPON系统设备中B0SA/R0SA器件的耦合。带有APD倍增因子的B0SA/R0SA器件在耦合的过程中，需要给其提供高压，并且每个器件的工作高压不经相同。APD耦合电源在测试器件时，通过单片机给器件加扫描电压，当测得器件的暗电流为10 μ A时，此时的扫描电压即为击穿电压Vbr，由于市场上的带有APD倍增因子的BOSA/ROSA器件的APD工作电压各不相同，例如:有的器件的APD工作电压为Vbr_4V，而有的器件的APD工作电压为0.9*Vbr，甚至还有除这两种工作电压以外的情况。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有的电压问题，提供了一种适应光通信领域的雪崩光电二极管Aro耦合电源。本技术解决上述技术问题所采取的技术方案如下:一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括:单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述B0SA/R0SA器件。进一步地，所述B0SA/R0SA器件的工作电压各不相同。进一步地，所述恒定输出高压包括Vbr_4V、Vbr-X电压输出模式。本技术采取了上述技术方案以后，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源，调制光源，并具有较高的稳定性。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。以下结合附图对本技术进行详细的描述，以使得本技术的上述优点更加明确。附图说明图1是本技术雪崩光电二极管APD耦合电源的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术进行详细地说明。针对目前光通信GPON、EPON的应用范围逐渐的扩大，传统的耦合电源已经不能适应GPON、EPON系统设备中B0SA/R0SA器件的耦合，因而开发了一种全新的APD耦合电源来满足此类 B0AS/R0SA 光发射次模块(Transmitter Optical Subassembly ；T0SA)与光接收次模块(Receiver Optical Subassembly ；R0SA)器件的f禹合。如图1所示，所述雪崩光电二极管Aro耦合电源，包括:单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述B0SA/R0SA器件。其中，所述B0SA/R0SA器件的工作电压各不相同。进一步地，所述恒定输出高压包括Vbr_4V、Vbr-X等APD电压输出模式。也就是说，所述APD耦合电源主要应用于GPON、EPON中APD的B0SA/R0SA器件耦合生产与监测，可自动测试击穿电压、响应电流，同时是同调制光源输出及示波器接口。整个系统集成了高压源，调制光源，并具有较高的稳定性。也就是说，APD耦合电源可以提供Vbr-4、Vbr-X电源电压等输出模式，提供示波器接口与测试系数的液晶显示，该设备稳定性好，测试速度快，可靠性高，极大提高了用户的生产效率。并且，APD耦合电源通过单片机控制其电压，使其恒定输出，整个测试的过程中，单片机实时监控响应电流。 其中，用户在测试器件整个过程中，加电时，Aro耦合电源通过单片机软件控制，先加TIA电压，再加APD工作高压；断电时，先断APD工作高压，再断TIA电压，此种上下电时序，有效的对B0SA/R0SA器件起到了保护作用。最后应说明的是:以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA/ROSA器件。

【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管APD耦合电源，其特征在于，包括:单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，并控制高压芯片恒定输出高压至所述B0SA/R0...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋元，
申请(专利权)人：武汉普赛斯电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：